】こうした構成を持つ本発明のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方

】こうした構成を持つ本発明のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法は、次の通りである。図４及び図５を参照して、ゲートバスライン用金属膜例えばＭｏＷ膜が下部基板２０上に蒸着されてから所定部分パターニングされ、ゲートバスライン２１が形成される。その後、シリコン窒酸化膜（ＳｉＯＮ）からなる第１ゲート絶縁膜２２ａと、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる第２ゲート絶縁膜２２ｂと、非晶質シリコン層及びドープト非晶質シリコン層とが順次蒸着される。続いて、ドープト半導体層、非晶質シリコン層及び第２ゲート絶縁膜２２ｂは、活性領域（薄膜トランジスタ領域）の形態で所定部分パターニングされ、オーミックコンタクト層２４とチャンネル層２３が限定される。第１ＩＴＯ膜は活性領域及び第１ゲート絶縁膜４ａ上に形成された後、活性領域の一側に存在するように所定部分パターニングされ、カウンタ電極２５が形成される。このとき、カウンタ電極２５は、上述した様に板形状で形成される。次に、電導性の高いアルミニウムを含む金属膜、例えばＭｏ／Ａｌ／ＭｏまたはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ金属膜がカウンタ電極２５の形成された下部基板２０上に蒸着されてから所定部分パターニングされ、活性領域両側にソース、ドレイン電極２６ａ、２６ｂが形成されると同時に、ゲートバスライン２１と交差する様に、データバスライン２６が形成される。また、データバスライン２６の形成と同時に、カウンタ電極２５とコンタクトされるようにカウンタ電極２５上に共通信号線２６０が形成される。その後、下部基板２０の結果物上に保護膜２７が蒸着される。続いて、薄膜トランジスタのドレイン電極２６ｂが露出するように、保護膜２７の所定部分がエッチングされる。その後、保護膜２７上に露出したドレイン電極２６ｂとコンタクトされるように第２ＩＴＯ膜が蒸着される。その後、第２ＩＴＯ膜はカウンタ電極２５とオーバーラップされるように櫛形状でパターニングされ、画素電極２８が形成される。