Аккомодация несоответствия в монокристаллических нанослойных гетероструктурах осуществляется в основном за счет формирования ансамбля дислокаций несоответствия, в роли которых выступают полные или частичные решеточные дислокации. Образованиедислокаций несоответствия становится энергетически выгодным вопределенной области значений основных параметров системы: деформации несоответствия, толщин пленки и подложки, отношенияупругих модулей составляющих систему материалов. В зависимости от условий выращивания, геометрии и свойств гетероструктуры, дислокации несоответствия могут формировать однородный илинеоднородный ансамбль и залегать либо непосредственно на гетерогранице, либо на некотором равновесном расстоянии от нее. В плоских и особенно в цилиндрических нанослойных структурах роль дефектов несоответствия могут играть также клиновые дисклинации,мощность (величина вектора Франка) которых не должна превышать некоторого критического значения, определяемого параметрамиструктуры.