From the values listed in the table

From the values listed in the table above, it is apparent that one common RF match may (potentially) be used to obtain different outputpower levels, simply by changing the VDD voltage supplied to the TX output pins. Although not shown in the table, it is often possible toobtain different output power levels for the same VDD supply voltage, by changing the differential load impedance presented to the PA.For example, the table above shows that it is possible to obtain +14 dBm from the chip for VDD = 1.8 V and a differential load impedanceof 100 to 125 Ω. It is also possible to obtain +14 dBm from the chip for VDD = 3.3 V and a differential load impedance of ~330 Ω.The PA current consumption from the 3.3 V supply will be less than the PA current consumption from the 1.8 V supply. However, theEFR32 family of chips provide for an on-chip DCDC Converter, and it is assumed that the 1.8 V (or 1.7 V) PA supply voltage will beobtained from the output of the DC-DC Converter, thus gaining the current efficiency of the converter (i.e., converting VBATT = 3.3 V toVDD = 1.8 V). In most cases, overall chip current consumption is minimized by using the DC-DC Converter as the voltage source for thePA for all applications with TX output power ≤+14 dBm. Moreover, with the DCDC the output power level is stable and immune againstVDD variations.

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从上表中所列的值，这是显而易见的是，一个普通的RF匹配可以（可能）一起使用，以获得不同的输出 功率电平，通过简单地改变供给到TX输出引脚VDD电压。虽然在表中没有示出，它通常有可能 获得不同的输出功率电平相同的VDD电源电压，通过改变提供给PA差动负载阻抗。 例如，上述示出了表，它是能够从芯片为VDD = 1.8V以及差动负载阻抗获得14 dBm的 100至125Ω。另外，也可以从芯片为VDD = 3.3V和〜330Ω的差分负载阻抗获得14 dBm的。 从3.3 V电源的PA的电流消耗将小于从1.8 V电源的PA的电流消耗。然而， 芯片EFR32家庭提供一种用于片上DCDC转换器，并且假定1.8 V（或1.7 V）PA电源电压将被 从所述DCDC转换器的输出而获得，从而获得电流效率所述转换器（即，转换VBATT = 3.3 V至 VDD = 1.8V）。在大多数情况下，整个芯片的电流消耗是通过使用DC-DC转换器作为电压源最小化 PA与TX输出功率≤+ 14 dBm的所有应用程序。此外，与DCDC输出功率电平是稳定的并且对免疫 VDD的变化。

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从上表中列出的值中可以明显看出，一个常见的 RF 匹配可能（可能）用于获取不同的输出 功率电平，只需更改提供给 TX 输出引脚的 VDD 电压即可。虽然没有显示在表中，但通常可以 通过更改呈现给 PA 的差分负载阻抗，获得相同 VDD 电源电压的不同输出功率电平。 例如，上图显示，可以从 VDD = 1.8 V 和差分负载阻抗的芯片中获得 ±14 dBm 100 到 125 Ω。也可以从VDD的芯片获得+14 dBm = 3.3 V，差分负载阻抗为±330 Ω。 3.3 V 电源的 PA 电流消耗将小于 1.8 V 电源的 PA 电流消耗。但是， EFR32 系列芯片提供片上 DCDC 转换器，假定 1.8 V（或 1.7 V）PA 电源电压为 从直流-直流转换器的输出中获得，从而获得转换器的电流效率（即，将 VBATT = 3.3 V 转换为 VDD = 1.8 V）。在大多数情况下，使用 DC-DC 转换器作为 适用于所有具有 TX 输出功率的应用的 PA =14 dBm。此外，使用 DCDC 时，输出功率级别稳定且不受 VDD 变体。

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从上表中列出的值来看，显然可以（潜在地）使用一个公共RF匹配来获得不同的输出 功率水平，只需改变提供给TX输出引脚的VDD电压。虽然表中没有显示，但通常可以 通过改变提供给PA的差动负载阻抗，获得相同VDD电源电压下的不同输出功率电平。 例如，上表显示，当VDD=1.8v和差动负载阻抗时，可以从芯片获得+14dbm 100至125Ω。当VDD=3.3v且差动负载阻抗约为330Ω时，也可以从芯片获得+14dbm。 3.3V电源的PA电流消耗将小于1.8V电源的PA电流消耗。然而 EFR32系列芯片提供片内DCDC转换器，并且假定1.8 V（或1.7 V）PA电源电压为 从DC-DC转换器的输出获得，从而获得转换器的电流效率（即，将VBATT=3.3 V转换为 VDD=1.8伏）。在大多数情况下，使用DC-DC转换器作为 所有TX输出功率≤+14dBm的应用。此外，有了DCDC，输出功率水平是稳定和免疫的 VDD变体。

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