Each bq769x0 device provides two lo

Each bq769x0 device provides two low-side FET drivers, CHG and DSG, which control NCH power FETsor may be used as a signal to enable various other circuits such as a high-side NCH charge pump circuit.Both DSG and CHG drivers have a fast pull-up to nominally 12 V when enabled. DSG uses a fast pulldown to VSS when disabled, while CHG utilizes a high impedance (nominally 1 MΩ) pull-down path whendisabled.An additional internal clamp circuit ensures that the CHG pin does not exceed a maximum of 20 V.

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每个bq769x0器件都提供两个低端FET驱动器CHG和DSG，它们控制NCH功率FET， 或者可以用作启用诸如高端NCH电荷泵电路之类的各种其他电路的信号。 启用后，DSG和CHG驱动器均具有快速上拉至标称12 V的能力。DSG禁用时使用快速下拉至VSS，而CHG禁用时使用高阻抗（标称值为1MΩ）的下拉路径 。 附加的内部钳位电路可确保CHG引脚最大不超过20V。

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每个 bq769x0 器件提供两个低端 FET 驱动器，CHG 和 DSG，用于控制 NCH 电源 FET 或可用作信号，以启用各种其他电路，如高侧 NCH 充电泵电路。 DSG 和 CHG 驱动器在启用时具有快速上拉到名义上为 12 V 的升点。DSG 在禁用时使用快速下拉到 VSS，而 CHG 在禁用时使用高阻抗（名义上为 1 MΩ）下拉路径 禁用。 附加的内部夹紧电路可确保 CHG 引脚不超过最大 20 V。

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每个bq769x0设备提供两个低侧FET驱动器，CHG和DSG，用于控制NCH功率FET 或可用作使能各种其它电路的信号，例如高侧NCH电荷泵电路。 DSG和CHG驱动器在启用时都有一个名义上为12 V的快速上拉。DSG在禁用时使用快速下拉到VSS，而CHG在禁用时使用高阻抗（名义上为1 MΩ）下拉路径 已禁用。 附加的内部钳位电路确保CHG引脚不超过最大20 V。

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