通过减少薄膜剥落，并在每个通孔工艺的W-CMP后引入高灵敏度缺陷检测，

通过减少薄膜剥落，并在每个通孔工艺的W-CMP后引入高灵敏度缺陷检测，对相应的电容器，通过设置高压脉冲的筛选条件下，IC从ROHM出厂后1年内，IC设计的缺陷率为1ppm或更低。

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By reducing film peeling, and the introduction of high-sensitivity defect in each through-hole after W-CMP process is detected, the respective capacitors, high voltage pulse provided by the filters, one year after the IC ROHM from the factory, the IC design defect rate It is 1ppm or less.

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By reducing film peeling and introducing high sensitivity defect detection after W-CMP in each through-hole process, the IC design defect rate of 1ppm or less is 1 ppm or less for the corresponding capacitors, subject to the screening conditions of setting high-pressure pulses, within 1 year of the IC from ROHM factory.

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By reducing film peeling and introducing high sensitivity defect detection after W-CMP of each through-hole process, the defect rate of IC design is 1ppm or lower within 1 year after IC leaves factory from ROHM under the screening condition of setting high voltage pulse for the corresponding capacitor.

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