A gap opens near Kp, leading to the

A gap opens near Kp, leading to the formation of a band structure as illustrated in Fig. 109. The gaps do not occur at multiples of π/a, as in a conventional 1D band structure. Moreover, the maxima and minima of two subsequent bands occur at different k-values. This implies indirect optical transitions between the bands if the Fermi level lies in the gap.

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的间隙打开的Kp附近，导致带结构的形成如图2所示。109.间隙不会在π的倍数发生/一个，如在常规的一维带结构。另外，最大值和两个随后的频带的最小值出现在不同的k值。这意味着，如果费米能级在于间隙带之间的间接光跃迁。

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Kp 附近有一个间隙，导致形成带状结构，如图 109 所示。间隙不会发生在 +/a 的倍数下，就像传统的 1D 波段结构一样。此外，两个后续波段的最大值和最小值出现在不同的 k 值上。这意味着，如果费米电平位于间隙，则表示频段之间的间接光学转换。

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间隙在Kp附近打开，导致如图109所示的带结构的形成。在传统的一维能带结构中，这种间隙不会出现在π/a的倍数处。此外，两个后续带的最大值和最小值出现在不同的K值上。这意味着，如果费米能级位于禁带中，禁带之间会发生间接的光学跃迁。

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