12V_IN & V_VCC_12V (out) via target

12V_IN & V_VCC_12V (out) via target 50 pcs. Close to Rsense/MOS as possiblewiden MOS gate (pin4) as constratDo not place via (MOS_GATE_*) in MOS area. Violate constraintMay shorten gate on topPlace out cap (C1651,C815) near out via on top

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通过靶50个12V_IN＆V_VCC_12V（下）。关闭RSENSE的/ MOS尽可能 扩大MOS栅极（引脚4）为constrat 通过（MOS_GATE_ *）在MOS区不到位。违反约束 可能会缩短栅极顶部 放置了帽（C1651，C815）通过在顶部附近出

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12V_IN = V_VCC_12V（出）通过目标 50 件。尽可能靠近 Rsense/MOS 加宽MOS门（引脚4）作为圆锥体 请勿通过（MOS_GATE_®）放置在 MOS 区域。违反约束 可以缩短顶部的门 将出盖（C1651，C815）放在顶部附近

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12V U输入和V U VCC U 12V（输出），通过目标50个，尽可能靠近Rsense/MOS 将MOS门（pin4）加宽作为constrat 不要在金属氧化物半导体区域放置过孔（金属氧化物半导体栅极）。违反约束 可能会缩短顶部的浇口 将外盖（C1651、C815）放置在靠近顶部外通孔的位置

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