Although charges can be transferred

Although charges can be transferred and collected efficientlyat 1 104 cm2 V1 s1 [28], we believe that Jsc and PCEs offullerene-free OSCs can be further improved with higher electronmobility. Meanwhile, NFAs with high electron mobility areexpected to fabricate thickness-insensitive OSCs, which is veryimportant for large-scale production. To develop NFAs with highelectron mobility, the following aspects should be taken intoconsideration: (1) intramolecular/intermolecular interaction; (2)molecular orientation; (3) crystallinity. It is well known thatextending the conjugated surface and improving the effectiveconjugation is a good way to enhance the electron mobility[71]. In addition, more planar and regioregular main backbonewould induce better p-p stacking and higher degree of crystallinity, and finally higher electron mobility [170–172]. As anexample, bay-linked perylene bisimides, i.e., di-PBI presents anelectron transfer mobility of 3.32 105 cm2V1s1; While thePDI units linked with fused spirobicyclopentabithiophene (FSP)showed improved electron mobility of 7.23 105 cm2V1s1due to enhanced conjugation between the two PDI units. Theenhanced electron mobility resulted in better OSC performancewhen they paired with PTB7-Th as the active layers. The OSCdevices based on di-PBI/PTB7-Th and FSP/PTB7-Th blends presented PCEs of 5.90% and 8.89%, respectively [129,173].

Although charges can be transferred and collected efficientlyat 1  104 cm2 V1 s1 [28], we believe that Jsc and PCEs offullerene-free OSCs can be further improved with higher electronmobility. Meanwhile, NFAs with high electron mobility areexpected to fabricate thickness-insensitive OSCs, which is veryimportant for large-scale production. To develop NFAs with highelectron mobility, the following aspects should be taken intoconsideration: (1) intramolecular/intermolecular interaction; (2)molecular orientation; (3) crystallinity. It is well known thatextending the conjugated surface and improving the effectiveconjugation is a good way to enhance the electron mobility[71]. In addition, more planar and regioregular main backbonewould induce better p-p stacking and higher degree of crystallinity, and finally higher electron mobility [170–172]. As anexample, bay-linked perylene bisimides, i.e., di-PBI presents anelectron transfer mobility of 3.32  105 cm2V1s1; While thePDI units linked with fused spirobicyclopentabithiophene (FSP)showed improved electron mobility of 7.23  105 cm2V1s1due to enhanced conjugation between the two PDI units. Theenhanced electron mobility resulted in better OSC performancewhen they paired with PTB7-Th as the active layers. The OSCdevices based on di-PBI/PTB7-Th and FSP/PTB7-Th blends presented PCEs of 5.90% and 8.89%, respectively [129,173].

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虽然费用可以 1转移并有效收取。10？4 cm2 V？1 s ？1 [28]，我们认为无 富勒烯OSC的Jsc和PCE可以通过更高的电子 迁移率得到进一步改善。同时，具有高电子迁移率的NFA 有望制造对厚度不敏感的OSC，这 对于大规模生产非常重要。要开发具有高 电子迁移率的NFA，应考虑以下方面 ：（1）分子内/分子间相互作用；（2） 分子取向；（3）结晶度。众所周知， 扩展共轭表面并改善有效 共轭是提高电子迁移率的好方法 [71]。此外，更多的平面和区域规则的主骨架 将导致更好的pp堆积和更高的结晶度，最终带来更高的电子迁移率[170-172]。作为一个 例子，月桂联二萘嵌苯双酰亚胺，即，二- PBI呈现 的3.32电子转移迁移率？10？5 cm2 V？1 s ？1 ; 当 PDI单元与稠合的螺双环戊二噻吩（FSP）连接时， 电子迁移率提高了7.23Ω。由于两个PDI单元之间的共轭增强，因此10？5 cm2 V？1 s ？1 。当它们与PTB7-Th作为有源层配合使用时， 增强的电子迁移率导致更好的OSC性能 。OSC 基于di-PBI / PTB7-Th和FSP / PTB7-Th混合物的设备的PCE分别为5.90％和8.89％[129,173]。

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虽然可以有效地转移和收集费用 在 1 104 cm2 V1 s 1 [28]，我们相信 JSC 和 PCEs 的 无富勒烯OSCs可以进一步改善与更高的电子 流动性。同时，具有高电子流动性的NFI 预期会制造不敏厚度的OSCs，这是非常 对大规模生产很重要。开发具有高 NDA 的 NDA 电子流动性，以下方面应纳入 考虑：（1）分子内/分子间相互作用;(2) 分子方向;（3）结晶度。众所周知 扩大偶联表面，提高 结合是增强电子流动性的好办法 [71]. 此外，更多的平面和重新调节主骨干 将诱导更好的p-p堆叠和更高的晶体度，并最终更高的电子流动性[170[172]。作为一个 例如，与托架相连的聚乙烯二酰胺，即，di-PBI 提供 电子传输移动性 3.32 105 cm2 V1 s 1 ;而 PDI 单位与熔融螺旋环开基平苯（FSP）链接 显示改善电子流动性 7.23 105 cm2 V1 s 1 由于两个 PDI 单元之间的增强结合。的 增强的电子移动性提高了OSC性能 当他们与 Ptb7 - th 配对作为活动层时。The OSC 基于 di-PBI/PTB7-Th 和 FSP/PTB7-Th 混合器件的设备分别呈现 5.90% 和 8.89% 的 PCEs [129，173]。

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虽然费用可以有效地转移和收取 在1 10 4 cm2 V s时 1[28]，我们认为Jsc和PCE 不含富勒烯的OSCs可以用更高的电子量进一步改进 流动性。同时，具有高电子迁移率的NFA 希望能制造出厚度不敏感的OSC 对大规模生产很重要。以高 电子迁移率，应考虑以下几个方面 考虑：（1）分子内/分子间相互作用；（2） 分子取向；（3）结晶度。众所周知 延长共轭表面，提高效率 共轭是提高电子迁移率的一种好方法 [71]。此外，主骨架更具平面性和区域性 会诱导更好的p-p堆积和更高的结晶度，最终提高电子迁移率[170–172]。作为一个 例如，间位连接的苝酰亚胺，即di-PBI呈现出 电子转移迁移率为3.32 10 5cm2 V 1 s 1 ；而 熔融螺环戊二噻吩（FSP）连接的PDI单元 电子迁移率提高了7.23 10 5 cm2 V 1 s 1 由于两个PDI单元之间的共轭增强。这个 增强的电子迁移率导致了更好的OSC性能 当它们与PTB7-Th配对作为激活层时。OSC 基于di-PBI/PTB7-Th和FSP/PTB7-Th共混物的器件的pce分别为5.90%和8.89%[129173]。

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