Vacuumtubeswerecentraltotheearlydev

Vacuumtubeswerecentraltotheearlydevelopmentofelectronics,butwerereplaced,decadesago,bysemiconductortransis-
tors.Vacuumchanneldevices,however,offerinherentlyfasteroperationandbetternoiseimmunityduetothenatureoftheir
channel.Theyarealsostableinharshenvironmentssuchasradiationandhightemperature.However,tobeaplausiblealterna-
tivetosolid-stateelectronics,nanoscalevacuumchanneldevicesneedtobefabricatedonthewaferscaleusingestablished
integratedcircuitmanufacturingtechniques.Here,weshowthatnanoscalevacuumchanneltransistorscanbefabricatedon
150mmsiliconcarbidewafers.Ourdeviceshaveaverticalsurround-gateconfigurationandweshowthattheirdrivecurrent
scaleslinearlywiththenumberofemittersonthesourcepad.Thesiliconcarbidevacuumdevicesarealsocomparedtoidenti-
callysizedsiliconvacuumchanneltransistors,whichrevealsthatthesiliconcarbidedevicesoffersuperiorlong-termstability.

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Vacuumtubeswerecentraltotheearlydevelopmentofelectronics，butwerereplaced，decadesago，bysemiconductortransis- tors.Vacuumchanneldevices，然而，offerinherentlyfasteroperationandbetternoiseimmunityduetothenatureoftheir channel.Theyarealsostableinharshenvironmentssuchasradiationandhightemperature.However，tobeaplausiblealterna- tivetosolid-stateelectronics，nanoscalevacuumchanneldevicesneedtobefabricatedonthewaferscaleusingestablished integratedcircuitmanufacturingtechniques.Here，weshowthatnanoscalevacuumchanneltransistorscanbefabricatedon 150mmsiliconcarbidewafers.Ourdeviceshaveaverticalsurround-gateconfigurationandweshowthattheirdrivecurrent scaleslinearlywiththenumberofemittersonthesourcepad.Thesiliconcarbidevacuumdevicesarealsocomparedtoidenti- callysizedsiliconvacuumchanneltransistors，whichrevealsthatthesiliconcarbidedevicesoffersuperiorlong termstability。

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真空管是电子学的早期发展的核心，但几十年前，半导体转换- 托斯。然而，真空通道设备具有内在更快的操作速度，而且具有更好的抗噪音性。 通道。然而，这些环境也不稳定，如辐射和高温。 前光固态电子学、纳米级真空通道设备需要制造晶圆级 集成电路制造技术。在这里，我们展示纳纳米级真空通道晶体管可以制造 150毫米硅碳化物。我们的设备具有垂直包围门配置，并展示其驱动电流 与源垫上的辐射者数量一起缩放。硅碳化物真空装置也比较了 高大硅真空通道晶体管，表明碳化物器件具有优越的长期稳定性。

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真空管是电子器件早期发展的中心，但通过电子导体的传输而被放置、拆卸。- 然而，真空通道装置由于其自身的特性提供了更快的操作和更好的噪音。 通道。它们确实是一个辐射和高温的环境。但是，它们是可以改变的。- 固体电子学，纳米尺度真空通道设备需要在所建立的晶片上进行预处理 集成电路制造技术。这里，我们将介绍纳米尺度真空沟道晶体管 150mmSiliconCarbideWaffers.我们的设备避免了当前的环网配置，并且它们的驱动电流如何 按比例排列，但不包括采购订单上的供应商数量。剖腹产的碳化硅真空设备也与其他设备相比- CallysizedSiliconVacuumChannel晶体管，其还具有SiliconCarbideDevices提供的超长期稳定性。

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