Wafer bonding is being investigated

Wafer bonding is being investigated as a means to integrate other materials and to combine micromachined structures with microelectronics. Researchers at the University of California, Berkeley, have used an epoxy bond for attaching a sap-phire wafer with a gallium-nitride (GaN) film to a silicon wafer. The sapphire wafer is bonded faced down to the silicon wafer. Short, high-intensity pulses from a laser scanned back and forth across the sapphire wafer separated theGaN from the sapphire. The GaN that remained attached to the silicon waferdid not have irregularities in the film [13].

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晶圆键合正在研究中，以作为整合其他材料并将微机械结构与微电子学结合的一种手段。加州大学伯克利分校的研究人员已使用环氧键将具有氮化镓（GaN）膜的树液晶片附着到硅晶片上。将蓝宝石晶片面朝下结合至硅晶片。来回扫描穿过蓝宝石晶片的激光发出的短而高强度的脉冲将 GaN与蓝宝石分开。保持附着在硅晶片上的GaN 膜没有不规则性[13]。

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晶圆粘接作为整合其他材料并将微机械结构与微电子学相结合的手段，正在进行调查。加州大学伯克利分校的研究人员使用环氧结合将一种含有硅硅（GaN）薄膜的硅片粘附在硅片上。蓝宝石晶圆与硅晶片粘结。从激光扫描到蓝宝石晶圆上来回扫描的短、高强度脉冲将 蓝宝石中的 GaN。仍附着在硅晶圆上的 GaN 影片没有违规行为[13]。

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晶圆键合作为一种集成其他材料并将微机械结构与微电子技术结合起来的方法正在被研究。加州大学伯克利分校的研究人员使用环氧树脂键将一个sap-phire晶片和一个氮化镓（GaN）薄膜连接到一个硅片上。蓝宝石晶圆正面向下键合到硅片上。激光来回扫描蓝宝石晶圆产生的高强度短脉冲将 来自蓝宝石的甘。仍然附着在硅片上的GaN 在影片中没有不规则的地方。

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