. Favorable bulk morphology and enh

. Favorable bulk morphology and enhanced electronmobility were induced by slowing solvent evaporation rate.The resulting PTB7–Th/PNDIS-HD OSCs achieved a PCE as highas 7.7% with a Jsc of 18.8 mA cm2, which is about two foldsenhanced compared with the thermally (175 C) annealeddevice.

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。 减慢溶剂蒸发速度可诱导良好的本体形态和增强的电子迁移率。 所得的PTB7-Th / PNDIS-HD OSC的PCE高达 7.7％，Jsc为18.8 mA cm？2 ， 与热退火（175 C）相比，提高了约2倍 。

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.有利的体积形态和增强的电子 流动性是由溶剂蒸发率降低引起的。 由此产生的 PTB7+Th/PNDIS-HD OSC 实现了高达 PCE 作为 7.7%， Jsc 为 18.8 mA cm2 ，大约两折 与热（175 C）退火相比增强 装置。

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. 良好的体形貌和增强电子 降低溶剂蒸发速率可诱导流动性。 由此产生的PTB7–Th/PNDIS-HD OSC实现了同样高的PCE 当Jsc为18.8 mA cm 2时为7.7% ，大约是两倍 与热（175℃）退火相比增强 设备。

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