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The foregoing analysis assumes that
The foregoing analysis assumes that the length L of the conductor is much greater than its width W, so edge channels are the only states at the Fermi level that extend from source to drain. If L ≪ W, additional extended states may appear in the bulk of the 2DEG, whenever the Fermi level lies in a bulk Landau level. An experiment by Fang et al. in this short-channel regime, to which our analysis does not apply, is discussed by B¨uttiker.386
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上述分析假定导体的长度L远大于其宽度W，所以边缘通道在费米能级，从源延伸到漏极的唯一的状态。如果L«W，附加扩张状态可能出现在散装的2DEG的，每当费米能级位于在本体朗道能级。通过Fang等人的实验。在这短短的通道制度，即我们的分析并不适用，由B¨uttiker.386讨论
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上述分析假定导体的长度 L 远远大于其宽度 W，因此边缘通道是 Fermi 级别中从源延伸到排放的唯一状态。如果 L • W，则当 Fermi 级别位于散装 Landau 级别时，其他扩展状态可能会出现在 2DEG 的大部分是大容量的。Fang等人在这个短通道机制中所做的实验，我们的分析并不适用，B_uttiker.386 讨论了这一实验。
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前面的分析假设导体的长度L远大于其宽度W，因此边缘通道是费米能级上从源到漏的唯一状态。如果L≪W，当费米能级位于大体积朗道能级时，在2DEG的大体积中可能出现额外的扩展态。方等人的实验。在我们的分析不适用的这种短信道情况下，由B？uttiker.386讨论
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