This paper deals with the effect of

This paper deals with the effect of negative gate bias stress with different times on the Carbon Nanotube FieldEffect Transistor (CNTFET) based gas sensors, obtained using Single-Walled Carbon Nanotubes (SWCNTs) matsas channel. The effects of Gate Bias Stress (GBS) on transistor performance are important; hence it is necessary tounderstand how our device behaves under bias stress. To perform this work, I-V characteristics, are taken byapplying a constant gate voltage (Vgs) for an extended time. I-V characteristics after stress exhibited an identicalshape to the one before stress with an important degradation of the current that flows through the transistors. Apossible source of the Bias Stress Effect (BSE) is traps in the semiconductor itself which are spatially and energeticallyisolated due to the disorder of SWCNTs. This hypothesis will be confirmed by the saturation of thedrain current shift ΔI after a prolonged period of time. All isolated trap states are saturated and only electricaltraps still active and give us the original I-V characteristics.

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本文研究了 使用单壁碳纳米管（SWCNTs）垫获得的基于碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）的气体传感器在不同时间的负栅极偏置应力的影响 。栅极偏置应力（GBS）对晶体管性能的影响很重要。因此有必要 了解我们的设备在偏压力下的行为。为了执行这项工作，通过 长时间施加恒定的栅极电压（Vgs）来获得IV特性。应力后的IV特性呈现出与 应力前相同的形状，但流经晶体管的电流会大大降低。一个 偏置应力效应（BSE）的可能来源是半导体自身的陷阱， 由于SWCNT的无序，它们在空间和能量上是隔离的。该假设将通过 延长的时间后的漏极电流偏移ΔI 的饱和来确认。所有隔离的陷阱状态都已饱和，只有电 陷阱仍处于活动状态，并为我们提供了原始的IV特性。

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This paper deals with the effect of negative gate bias stress with different times on the Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) based gas sensors, obtained using Single-Walled Carbon Nanotubes (SWCNTs) mats as channel. The effects of Gate Bias Stress (GBS) on transistor performance are important; hence it is necessary to understand how our device behaves under bias stress. To perform this work, I-V characteristics, are taken by applying a constant gate voltage (Vgs) for an extended time. I-V characteristics after stress exhibited an identical shape to the one before stress with an important degradation of the current that flows through the transistors. A possible source of the Bias Stress Effect (BSE) is traps in the semiconductor itself which are spatially and energetically isolated due to the disorder of SWCNTs. This hypothesis will be confirmed by the saturation of the drain current shift ΔI after a prolonged period of time. All isolated trap states are saturated and only electrical traps still active and give us the original I-V characteristics.

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研究了不同时间负栅偏压对碳纳米管场的影响 基于效应晶体管（CNTFET）的气体传感器，使用单壁碳纳米管（SWCNTs）垫获得 作为频道。栅极偏压应力（GBS）对晶体管性能的影响是重要的，因此有必要 了解我们的设备如何在偏压下工作。为了执行此项工作，I-V特性由 长时间应用恒定栅极电压（Vgs）。应力后的I-V特性显示相同 形状到应力前的形状，通过晶体管的电流有一个重要的衰减。一个 偏压应力效应（BSE）的可能来源是半导体本身的陷阱，它们在空间和能量上 由于SWCNTs的紊乱而分离。这个假设将通过 长时间后的漏极电流位移ΔI。所有孤立的陷阱态都是饱和的，只有电的 陷阱仍然活跃，并给我们原始的I-V特性。

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