Helium ion induced tungsten nanostructure (tungsten fuzz) has been stu的简体中文翻译

Helium ion induced tungsten nanostr

Helium ion induced tungsten nanostructure (tungsten fuzz) has been studied in a magnetron sputtering device. Three parameters were varied, the fluence from 3.4 × 1023–3.0 × 1024 m−2, the He ion energy from 25 to 70 eV, and the surface temperature from 900 to 1200 K. For each sample, SEM images were captured, and measurements of the fuzz layer thickness, surface roughness, reflectivity, and average structure widths are provided. A cross-over point from pre-fuzz to fully formed fuzz is found at 2.4 ± 0.4 × 1024 m−2, and a temperature of 1080 ± 60 K. No significant change was observed in the energy sweep. The fuzz is compared to low fluence fuzz created in the PISCES-A linear plasma device. Magnetron fuzz is less uniform than fuzz created by PISCES-A and with generally larger structure widths. The thicknesses of the magnetron samples follow the original Φ1/2 relation as opposed to the incubation fluence fit.
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在磁控溅射设备中已经研究了氦离子诱导的钨纳米结构(钨绒)。改变了三个参数,能量密度从3.4×1023–3.0×1024 m-2,氦离子能量从25到70 eV,表面温度从900到1200K。对于每个样品,均捕获SEM图像并进行测量提供了绒毛层的厚度,表面粗糙度,反射率和平均结构宽度。从预绒毛到完全绒毛的交叉点为2.4±0.4×1024 m-2,温度为1080±60K。在能量扫描中未观察到明显变化。将绒毛与PISCES-A线性等离子设备中产生的低通量绒毛进行比较。磁控管绒毛不及PISCES-A产生的绒毛均匀,结构宽度通常较大。
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氦气诱导钨纳米结构(钨模糊)已在磁控溅射装置中研究。三个参数各不相同,从 3.4 × 1023 × 3.0 × 1024 m+2, He 电离能量从 25 到 70 eV, 表面温度从 900 到 1200 K.对于每个样本,捕获 SEM 图像,并提供模糊层厚度、表面粗糙度、反射率和平均结构宽度的测量。从预模糊到完全形成的模糊点在 2.4 × 0.4 × 1024 m+2 处找到交叉点,温度为 1080 ± 60 K。能量清扫没有显著变化。模糊与 PISCES-A 线性等离子器件中产生的低荧光模糊器进行比较。磁控管模糊比 PISCES-A 创建的模糊物更均匀,结构宽度通常较大。磁控管样品的厚度遵循原始的 #1⁄2 关系,而不是孵育氟拟合。
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在磁控溅射装置中研究了氦离子诱导钨纳米结构(钨绒毛)。改变了三个参数,注量为3.4×1023-3.0×1024m-2,氦离子能量为25-70ev,表面温度为900-1200k。对每个样品进行了扫描电镜(SEM)图像采集,并测量了绒毛层厚度、表面粗糙度、反射率和平均结构宽度。在2.4±0.4×1024m-2处,温度为1080±60k,能量扫描没有明显变化。这种模糊与双鱼座的低通量模糊相比,双鱼座是一种线性等离子体装置。磁控管的模糊比双鱼座的模糊更不均匀,而且通常结构宽度更大。磁控管样品的厚度遵循原始的Φ1/2关系,而不是孵化通量拟合。<br>
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