为了准确的研究磨粒粒径对划擦过程中材料表面产生划痕的影响，根据实际抛光

为了准确的研究磨粒粒径对划擦过程中材料表面产生划痕的影响，根据实际抛光过程中的磨粒情况，选取GaAs（100）晶面为研究对象，磨粒粒径为5、6、7、8、9、10nm。

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In order to accurately study the influence of the abrasive grain size on the scratches on the surface of the material during the scratching process, according to the actual abrasive grain condition in the polishing process, the GaAs (100) crystal plane was selected as the research object, and the abrasive grain size was 5, 6 , 7, 8, 9, 10nm.

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In order to accurately study the effect of scratches on the surface of the material during the grinding process, gaAs (100) crystal surface was selected as the research object according to the grinding condition of the actual polishing process, and the grinding particle size was 5, 6, 7, 8, 9, 10nm.

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In order to accurately study the effect of abrasive particle size on scratches on the surface of the material in the process of scratching, according to the actual polishing process of abrasive particles, the GaAs (100) crystal surface is selected as the research object, and the abrasive particle size is 5, 6, 7, 8, 9, 10nm.<br>

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