Recently, the cold sintering proces

Recently, the cold sintering process (CSP) was unveiled as a technique that enables the sintering of ceramics at low temperatures (T=350 °C)10 based on a pressure solution creep mechanism (dissolution  mass transport  precipitation) induced by the presence of a transient liquid and uniaxial pressure.11 Several experimental and theoretical studies by ReaxFF molecular dynamics highlighted that the sintering temperature of ZnO with this process can be as low as 120 °C thanks to solvent-induced accelerated diffusional processes and chemical effects.12–15 Sintering is typically described as a thermally or mechanically and thermally driven mass transport process to minimize the surface energy of a particle ensemble. For most of the sintering techniques, the ratio between the sintering temperature (Tsint) and the melting temperature (Tmelt), is in the range of 0.5 < Tsint/Tmelt < 0.95.16 For cold sintering, this sintering criterion ratio is drastically lower as Tsint/Tmelt can be below 0.2. This opens many new opportunities in terms of the low temperature fabrication of materials, devices and the integration of all material types, namely ceramics, polymers and metals to fabricate all types of composites. As an example, the CSP enabled the fabrication of functional ceramic-polymer composites with a high-volume fraction of ceramic (up to 99.9 %) thanks to the matching of processing temperature windows of ceramic and polymers.17 The fabrication of dense ceramic-polymer composites, with thermoplastic or thermosetting polymers distributed at the interfaces between adjacent ceramic grains18 was demonstrated for multiple applications such as batteries, electronics, wave propagation among other things: Li2MoO4-PTFE (polytetrafluoroethylene)19, Li1+x+yAlxTi2-xSiyP3-yO12 (LATP) with bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (LiTFSI) salts showing similar room temperature conductivity (10-4 S.cm-1), comparable to conventionally sintered ceramics20 (1-x) SiO2-xPTFE14 and ZnOCa3Co4O9-PTFE.21 Recently, Zhao et al. presented a new type of nanocomposite structure consisting of ceramic (ZnO) and polymer phase (PTFE- Polytetrafluoroethylene) that provides characteristic varistor I-V behavior.22 Additionally, Hérisson de Beauvoir et al. exhibited applicable of the integration of metallization of different metal types (i.e. Fe, Cu, Al) into functional electroceramic with cofiring process as a multilayer form by the enormously low sintering temperature that can be called as “cold sintering co-fired ceramic (CSCC)” process that is the first time in the literature.23

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近来，冷烧结工艺（CSP）作为一种技术得以亮相，该技术能够根据存在下的压力溶液蠕变机理（溶质质量传递沉淀）在低温（T = 350°C）10下烧结陶瓷。 ReaxFF分子动力学的一些实验和理论研究表明，由于溶剂引起的加速扩散过程和化学作用，利用该过程进行的ZnO烧结温度可低至120°C。12– 15烧结通常被描述为热或机械和热驱动的传质过程，以使颗粒整体的表面能最小化。对于大多数烧结技术而言，烧结温度（Tsint）与熔化温度（Tmelt）之比在0.5 <Tsint / Tmelt <0.95.16的范围内。对于冷烧结，由于Tsint / Tmelt可以低于0.2，因此该烧结标准比率大大降低。在材料，器件的低温制造以及所有材料类型（即陶瓷，聚合物和金属）的集成方面，这为制造所有类型的复合材料提供了许多新的机会。例如，由于陶瓷和聚合物的加工温度范围相匹配，CSP能够制造出具有高陶瓷含量（高达99.9％）的功能陶瓷-聚合物复合材料。17致密陶瓷-聚合物的制造热塑性或热固性聚合物分布在相邻陶瓷颗粒之间的界面处的复合材料18已被证明可用于多种应用，例如电池，电子产品，波传播等：Li2MoO4-PTFE（聚四氟乙烯）19，Li1 + x + yAlxTi2-xSiyP3-yO12（LATP）与双（三氟甲磺酰基）酰亚胺（LiTFSI）盐显示相似的室温电导率（10-4 S.cm-1 ），相当于传统的烧结陶瓷20（1-x）SiO2-xPTFE14和ZnO？Ca3Co4O9-PTFE.21 Hérissonde Beauvoir等人提出了一种新型的由陶瓷（ZnO）和聚合物相（PTFE-聚四氟乙烯）组成的纳米复合结构，该结构具有压敏电阻IV的特性。22此外，Hérissonde Beauvoir等人。展示了适用于不同金属类型（例如，铁，铜，

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最近，冷烧结过程（CSP）被揭开，作为一种技术，使陶瓷在低温（T=350°C）10下烧结基于压力溶液蠕变机制（溶解质量运输沉淀）引起的瞬态液体和单轴压力。 ReaxFF分子动力学强调，由于溶剂引起的加速扩散过程和化学效应，ZnO的烧结温度可以低至120°C。对于大多数烧结技术，烧结温度（Tsint）和熔化温度（Tmelt）之间的比值在0.5 = Tsint/Tmelt = 0.95.16 冷烧结，此烧结标准比大幅降低，因为 Tsint/Tmelt 可以低于 0.2。这为材料、设备的低温制造和所有材料类型（即陶瓷、聚合物和金属）的合成创造了许多新的机会。例如，CSP 能够制造具有高体积陶瓷部分（高达 99.9%）的功能性陶瓷聚合物复合材料由于陶瓷和聚合物的加工温度窗口的匹配。 17 高密度陶瓷聚合物复合材料的制造，与热塑性或热固性聚合物分布在相邻陶瓷颗粒之间的接口18被演示用于多种应用，如电池、电子、波传播除其他外： Li2Moo4-PTFE （聚四氟乙烯） 19， Li1+x+yAlxTi2-xSiyP3-yO12 （LATP）与双（三氟制氨基）酰胺（LiTFSI）盐显示类似的室温电导率（10-10-10-10-1 4 S.cm-1），可与传统烧结陶瓷 20 （1 x） SiO2-xPTFE14 和 ZnOCa3Co4O9-PTFE.21 相比，最近，赵等人介绍了一种由陶瓷（ZnO）和聚合物相（PTFE-聚四氟乙烯）组成的新型纳米复合结构，该结构提供典型的聚光电阻 I-V 特性。， Cu， Al）进入功能电陶瓷与共烧工艺作为多层形式，通过极低的烧结温度，可以被称为 "冷烧结共烧陶瓷（CSCC）" 过程，这是第一次在文献中。

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最近，冷烧结工艺（CSP）是一种能够在低温（T=350°C）下烧结陶瓷的技术，该技术基于瞬态液体和单轴压力诱导的压力溶液蠕变机制（溶解→质量传输→沉淀）。11ReaxFF分子动力学强调，由于溶剂诱导的加速扩散过程和化学效应，采用该工艺的ZnO的烧结温度可低至120°C。12–15烧结通常被描述为热或机械和热驱动的质量传输过程，以最小化表面能粒子系综。对于大多数烧结工艺，烧结温度（Tsint）与熔化温度（Tmelt）之比在0.5<Tsint/Tmelt<0.95.16的范围内。对于冷烧结，由于Tsint/Tmelt可以低于0.2，该烧结标准比大大降低。这为材料、器件的低温制造以及各种材料类型（即陶瓷、聚合物和金属）的集成创造了许多新的机会，以制造各种类型的复合材料。例如，由于陶瓷和聚合物的加工温度窗口匹配，CSP能够制造陶瓷体积分数高（高达99.9%）的功能陶瓷-聚合物复合材料。17致密陶瓷-聚合物复合材料的制造，由于热塑性或热固性聚合物分布在相邻陶瓷颗粒之间的界面上，18被证明可用于多种应用，如电池、电子、波传播等：Li2MoO4 PTFE（聚四氟乙烯）19，Li1+x+yAlxTi2-xSiyP3-yO12（LATP）与双（三氟甲磺酰基）酰亚胺（LiTFSI）盐具有相似的室温电导率（10-4 S.cm-1），可与传统烧结陶瓷20（1-x）SiO2-xPTFE14和ZnO Ca3Co4O9-PTFE相当。21最近，Zhao等人。提出了一种由陶瓷（ZnO）和聚合物相（PTFE-聚四氟乙烯）组成的新型纳米复合结构，提供了特性变阻器I-V行为。22此外，Hérisson de Beauvoir等人。通过极低的烧结温度可称为“冷烧结共烧陶瓷（CSCC）”工艺，在文献中首次展示了将不同金属类型（即Fe、Cu、Al）的金属化与以共烧工艺作为多层形式的功能性电陶瓷集成的适用性<br>

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