Electron focusing by a magnetic field may also play a role in geometri的简体中文翻译

Electron focusing by a magnetic fie

Electron focusing by a magnetic field may also play a role in geometries other than the double-point contact geometry of Fig. 52. One example is mentioned in the context of junction scattering in a cross geometry in Section III.E. Another example is the experiment by Nakamura et al.108 on the magnetoresistance of equally spaced narrow channels in parallel (see Fig. 59). Resistance peaks occur in this experiment when electrons that are transmitted through one of the channels are focused back through another channel. The resistance peaks ocur at B = (n/m)Bfocus, where Bfocus is given by Eq. (3.25) with L the spacing of adjacent channels. The identification of the various peaks in Fig. 59 is given in the inset. Nakamura et al.108 conclude from the rapidly diminishing height of consecutive focusing peaks (which require an increasing number of specular reflections) that there is a large probability of diffuse boundary scattering. The reason for the difference with the experiments discussed previously is that the boundary in the experiment of Fig. 59 is defined by focused ion beam lithography, rather than electrostatically by means of a gate. As discussed in Section II.A, the former technique may introduce a considerable boundary roughness.
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52.电子通过磁场聚焦在与图1的双点接触几何其它的几何形状也可起到作用。一个示例在在第III.E.横几何结散射的上下文中提到的 另一个例子是对等间隔的窄的通道的并联磁阻本实验由Nakamura等al.108(参见图59)。当通过信道之一发送的电子被通过另一信道集中的背面电阻峰出现在本实验中。电阻峰OCUR在B =(N / M)Bfocus,其中Bfocus由方程给出。(3.25)与L-相邻信道的间距。在图59的各种峰的鉴定在插图中给出。Nakamura等。108从连续对焦的峰值(其需要的镜面反射的越来越多的)有漫界散射的大概率的迅速减少高度结束。其原因与前面讨论的实验的差别在于,在图59的实验的边界由聚焦离子束光刻限定,而不是通过静电栅极的装置。如第II.A所讨论的,前一技术可能引入相当大的边界粗糙度。
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磁场对焦也可能在图52的双点接触几何以外的几何中发挥作用。在第三节交叉几何体中交点散射的上下文中提到了一个例子。E. 另一个例子是中村等人对平行间隔窄通道的磁阻的实验(见图59)。当通过其中一个通道传输的电子通过另一个通道聚焦回时,电阻峰值就发生。电阻峰值出现在 B = (n/m)Bfocus 处,其中 Bfocus 由 Eq. (3.25) 给出,L 与相邻通道的间距。图59中各峰的标识在内图中给出。Nakamura等人108从连续对焦峰(需要越来越多的镜面反射)的快速下降的高度得出结论,漫反射边界散射的可能性很大。与前面讨论的实验不同的原因是,图59实验中的边界是由聚焦的电子束光刻来定义的,而不是通过浇口的静电来定义的。如第二节所述。A,前一种技术可能会引入相当的边界粗糙度。
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由磁场聚焦的电子也可以在除了图52的双点接触几何结构之外的几何结构中起作用。第III.E节中在交叉几何中的结散射上下文中提到了一个示例。另一个示例是Nakamura等人108关于平行等间距窄通道磁电阻的实验(参见图59)。在这个实验中,当通过一个通道传输的电子通过另一个通道聚焦回来时,就会出现电阻峰。电阻峰值为B=(n/m)Bfocus,其中Bfocus由式(3.25)给出,L为相邻通道的间距。图59中的各种峰的识别在插图中给出。Nakamura等人108从连续聚焦峰的高度迅速减小(这需要越来越多的镜面反射)得出结论,存在很大的扩散边界散射概率。与前面讨论的实验不同的原因是,图59的实验中的边界是通过聚焦离子束光刻来定义的,而不是通过栅极的静电来定义的。如第II.A节所述,前一种方法可能会引入相当大的边界粗糙度。
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