BTS在300 K时绝对热功率对载流子浓度的依赖关系（Pisarenk

BTS在300 K时绝对热功率对载流子浓度的依赖关系（Pisarenko关系）（其中还显示了f（GaAs）/ BTS样品的a值（f = 0、0.1、0.3、0.5和0.8wt。％））。

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The dependence of absolute thermal power on carrier concentration (Pisarenko relationship) of BTS at 300 K (the value of f(GaAs)/a of the BTS sample (f = 0, 0.1, 0.3, 0.5 and 0.8wt.%) is also shown. )).

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BTS's absolute thermal power dependency on carrier concentration at 300 K (Pisarenko relationship) (which also shows the a value of f (GaAs)/BTS samples (f - 0 , 0.1, 0.3, 0.5 and 0.8wt). %)) 。

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The dependence of absolute thermal power on carrier concentration (Pisarenko relation) of BTS at 300 K (where a values of F (GaAs) / BTS samples (F = 0, 0.1, 0.3, 0.5 and 0.8wt) are also shown. ％））。<br>

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