When the pn junction on the surface

When the pn junction on the surface of the solar cell is irradiated by sunlight, if the energy of the incident photon is higher than the forbidden band width of the silicon material, electron holes will be generated in the n region, p region and junction region due to the absorption of photons , The minority carriers generated in the n region near the junction will diffuse because of the concentration gradient. If the distance of minority carriers from the pn junction is less than its diffusion length, there will be a chance of diffusion to the junction interface.

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当太阳光照射太阳能电池表面的pn结时，如果入射光子的能量大于硅材料的禁带宽度，则在n区，p区和结区会产生电子空穴由于光子的吸收，在结附近的n区产生的少数载流子将由于浓度梯度而扩散。如果少数载流子到pn结的距离小于其扩散长度，则有扩散到结界面的机会。

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当太阳能电池表面的pn结被阳光照射时，如果事件光子的能量高于硅材料的禁止带宽度，则由于光子的吸收，在n区域、p区域和结区会产生电子孔，在结附近的n区域产生的少数载体会由于浓度梯度而扩散。如果少数载波与pn结的距离小于其扩散长度，则有可能扩散到结接口。

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当太阳光照射太阳电池表面的p n结时，如果入射光子的能量大于硅材料的禁带宽度，则在n区、p区和结区由于光子的吸收而产生电子空穴，在n区附近产生少数载流子由于浓度梯度的存在，结会扩散。如果少数载流子到pn结的距离小于其扩散长度，则有可能扩散到结界面。<br>

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