Scanning electron micrographs of na

Scanning electron micrographs of nanostructures in GaAs-AlGaAs heterostructures. (a, top) Narrow channel (width 75 nm), fabricated by means of the confinement scheme of Fig. 4c. The channel has side branches (at a 2-um separation) that serve as voltage probes. Taken from M. L. Roukes et al., Phys. Rev. Lett. 59, 3011 (1987). (b, bottom) Double quantum point contact device, based on the confinement scheme of Fig. 4b. The bar denotes a length of 1 μm. Taken from H. van Houten et al., Phys. Rev. B 39, 8556 (1989).

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扫描在GaAs的异质结构的AlGaAs纳米结构的电子显微镜照片。（A，顶部）窄通道（75宽度nm）时，由制造图4c的约束方案的手段。该通道具有作为电压探头侧分支（在2微米分离）。从ML Roukes等人，物理学服用。牧师快报。59，3011（1987）。（B，底部）双量子点接触装置，是根据图4b的约束方案。棒表示1微米的长度。从H.万豪敦等人，物理学服用。版本B 39，8556（1989）。

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GaAs-AlGaAs异质结构中纳米结构的扫描电子显微照片。（a，顶部）窄沟道（宽度75nm），通过图4c的限制方案制造。沟道具有用作电压探针的侧支路（间隔2-um）。摘自M.L.Roukes等人，Phys。修订版。利特。593011（1987）。（b，底部）双量子点接触装置，基于图4b的限制方案。棒表示1μm的长度。取自H.van Houten等人，Phys。修订版。B 398556（1989年）。

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