1번 : 정상Cell VT, 이번 불량자재 Normal BLK

1번 : 정상Cell VT, 이번 불량자재 Normal BLK Cell Vt, RTBB Cell Vt를 비교해서 왜 불량인지를 설명. 각 PV 경계 골짜기가 올라가면 왜 UECC로 떨어지는지에 대한 설명 추가.2번 : DTV회사라 Infra가 될지는 모르겠습니다만 필요한 H/W, PGM, CMD 등에 대해서 설명.3번 : 차영덕TL님이 Fast EW에 의한 Retenion 불량에 대한 의심을 했는데 이걸로 어떤 상황에서 그런지하고 방지책 제시.

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第1号：正常电池室VT，此缺陷材料正常BLK电池室Vt，RTBB电池室Vt并说明其有缺陷的原因。添加了关于每个PV边界谷为何上升和下降到UECC的解释。 No. 2：DTV公司，我不知道它是否会是Infra，但我解释了必要的硬件，PGM，CMD等。 No. 3：Cha Young-duk TL怀疑由于失败而导致的快速电子战失败，在这种情况下，有人建议在某些情况下采取预防措施。

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No. 1：普通细胞VT，这次与普通BLK细胞Vt相比，RTBB细胞Vt解释了它为什么不好。添加描述每个 PV 边界谷为何上升并落入 UECC。 数字2：我不知道是否会是红外线，因为它是一个DTV公司，但我会解释h/W，PGM，CMD等，我需要。 第3号：查英德TL被怀疑被快速EW的再育缺陷，这是情况，并提出了预防措施。

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1号：正常Cell VT，本次不良材料Norm BLK Cell Vt，RTBB Cell Vt进行比较，说明为什么是不良品。如果各PV边界的山谷上升，为什么会下降到UCC。 2号：不知道是不是DTV公司的Infra，但是对于所需的H/W，PGM，CMD等进行说明。 3号：车永德TL对Fast EW的Retenion不良怀疑，用这个在某种情况下提出那种地下防止对策。

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