We also study the superconductivity dependence on the strength and dir的简体中文翻译

We also study the superconductivity

We also study the superconductivity dependence on the strength and direction of the magnetic field. Fig. 3b shows the superconducting resistive transition of a 2.3-nm-thick Mo2C film for different out-of-plane magnetic field strengths. The inset in Fig. 3b shows the influences of external out-of-plane and in-plane magnetic fields on the superconducting characteristics for 2.3 nm Mo2C films. As for the out-of-plane case, Hc2⊥ shows a linear behavior close to Tc, which is accorded with the standard linearized Ginzburg–Landau (GL) theory for superconductors. The voltage-current (V -I ) characteristics of this system shown in Fig. 3c are also measured at selected temperatures ranging from 4.3K to 5.2K without the presence of an external magnetic field. The measurements show the power-law dependence, V∝Iα, in line with expectations of 2D superconducting theory model on the basis of Berezinskii–Kosterlitz–Thouless (BKT) transition.20,21 We take the logarithm and the results are shown in Fig. 3d. The analysis on the V-I characteristics reveals the signature of BKT transition, which is another evidence for its 2D superconductivity. When exponent α reaches to a value of 3, we determined the temperature as the BKT transition temperature TBKT=4.97K.
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我们还研究了磁场的强度和方向的超导电性的依赖。图3b示出了用于不同外的平面磁场强度的2.3 nm厚的Mo2C膜的超导电阻性转换。图中的插图。外部外平面的-关于为2.3纳米的Mo2C膜的超导特性图3B示出的影响和面内的磁场。至于外的平面中的情况下,Hc2⊥示出了线性的行为接近Tc时,其被赋予与标准线性化的Ginzburg - 朗道(GL)理论超导体。在图3c所示的本系统的电压 - 电流(V-I)特性在范围为4.3K至5.2K没有外部磁场的存在选择的温度也进行测量。测量结果表明幂律关系,VαIα,与Berezinskii-科斯特利茨-Thouless(BKT)transition.20,21我们取对数的基础上,超导理论模型2D的期望和结果线示于图3d。在VI特性的分析揭示了BKT过渡,这是它的2D超导另一证据的签名。当指数α达到值3,我们确定的温度为BKT转变温度TBKT = 4.97K。
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我们还研究了超导性对磁场强度和方向的依赖性。图3b显示了2.3纳米厚的Mo2C薄膜的超导电阻过渡,用于不同的平面外磁场强度。图3b中的内部显示了外部平面外磁场和平面内磁场对2.3纳米Mo2C薄膜超导特性的影响。至于平面外情况,Hc2+ 显示了接近Tc的线性行为,该行为与超导体的标准线性化Ginzburg_Landau (GL)理论一致。图3c所示的该系统的电压电流(V-I)特性也在4.3K至5.2K的选定温度下测量,而没有外部磁场。测量显示功率定律依赖性 V= I=,符合基于贝雷津斯基-科斯特利茨_Thout (BKT) 过渡的二维超导理论模型的预期。对V-I特性的分析揭示了BKT转换的特征,这是其二维超导性的另一个证据。当指数 = 达到值 3 时,我们确定温度为 BKT 过渡温度 TBKT=4.97K。
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我们还研究了超导电性对磁场强度和方向的依赖性。图3b示出了2.3nm厚Mo2C薄膜在不同平面外磁场强度下的超导电阻转变。图3b中的插图显示了外部平面外和平面内磁场对2.3nm Mo2C薄膜超导特性的影响。对于离面情况,Hc2⊥表现出接近Tc的线性行为,这符合超导体的标准线性化Ginzburg-Landau(GL)理论。图3c所示的该系统的电压-电流(V-I)特性也在选定的4.3K到5.2K的温度下测量,而不存在外部磁场。测量结果表明,与基于Berezinskii–Kosterlitz–Thouless(BKT)跃迁的二维超导理论模型的预期一致,与幂律相关,V∏Iα。20,21取对数,结果如图3d所示。对V-I特性的分析揭示了BKT跃迁的特征,这是它的二维超导性的另一个证据。当指数α达到3时,我们确定温度为BKT转变温度TBKT=4.97K。
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