Band-bending diagram (showing condu

Band-bending diagram (showing conduction band Ec, valence band Ev, and Fermi level EF) of a metal-oxidesemiconductor (MOS) structure. A 2DEG is formed at the interface between the oxide and the p-type silicon substrate, as a consequence of the positive voltage V on the metal gate electrode.

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带弯曲图（示出了传导带Ec，价带Ev，和费米能级EF）的金属 - oxidesemiconductor（MOS）结构的。甲2DEG形成在氧化物和p型硅衬底之间的界面，作为在金属栅电极的正电压V的结果。

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金属氧化物半导体（MOS）结构的带弯曲图（显示传导带Ec、价带Ev和费米级EF）。由于金属栅极上的正电压 V，在氧化物和 p 型硅基板之间的接口处形成 2DEG。

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金属氧化物半导体（MOS）结构的带弯曲图（显示导带EC、价带EV和费米能级EF）。由于金属栅电极上的正电压V，氧化物和p型硅衬底之间的界面处形成2DEG。

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