A low temperature densification tec

A low temperature densification technique, i.e. reactive hydrothermal liquid-phase densification (rHLPD) was followed to obtain highly dense BaTiO3 components at temperatures ≤ 240 °C. The formed ceramics were characterized concerning not only the structural features but also the electrical properties. The increase of bothreaction time and temperature resulted in enhanced densification of BaTiO3 components reaching about 90% of theoretical density. The presence of the tetragonal BaTiO3 was demonstrated by both XRD and TEM analysis. Despite the low reaction temperatures, the samples showed promising dielectric, ferroelectric and piezoelectric functionality without additional annealing. A broad dielectric peak was observed around 135 °C at the Curietemperature; saturated hysteresis loops and corresponding butterfly-shaped strain-electric field loops were obtained. BaTiO3 sample subjected to hydrothermal reaction at 240 °C for 72 h yielded a piezoelectric coefficient of 84 pC/N.

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遵循低温致密化技术，即反应性水热液相致密化（rHLPD），以在≤240°C的温度下获得高密度的BaTiO3组分。所形成的陶瓷的特征不仅在于结构特征，而且还涉及电性能。 反应时间和温度的增加导致BaTiO3组分的致密化增强，达到理论密度的90％。XRD和TEM分析均证明了四方BaTiO3的存在。尽管反应温度低，但样品无需额外退火即可显示出令人满意的介电，铁电和压电功能。居里在135°C附近观察到一个宽的介电峰 温度; 获得了饱和磁滞回线和相应的蝴蝶形应变电场回线。BaTiO3样品在240°C进行水热反应72 h，其压电系数为84 pC / N。

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遵循一种低温致密技术，即反应性热液相密度化（rHLPD），在240°C的温度下获得高密度的BaTiO3组分。成型陶瓷不仅具有结构特征，而且涉及电气特性。两者的增长 反应时间和温度使BaTiO3组件的密度增强，达到理论密度的90%左右。XRD 和 TEM 分析都证明了四角巴提奥3的存在。尽管反应温度较低，但样品显示出有希望的介电、铁电和压电功能，无需额外的退火。在居里岛观测到135°C左右的宽介电峰值 温度;获得饱和滞后回路和相应的蝴蝶形应变电场回路。BaTiO3 样品在 240°C 下 72 h 进行热液反应，产生 84 pC/N 的压电系数。

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采用反应水热液相致密化（rHLPD）低温致密化技术，在≤240℃的温度下获得高密度的BaTiO3组分，并对其结构特征和电学性能进行了表征。两者的增加 反应时间和温度使钛酸钡组分的致密化程度提高到理论密度的90%左右。通过XRD和TEM分析证实了四方钛酸钡的存在。尽管反应温度较低，但样品表现出良好的介电、铁电和压电功能，无需额外退火。在居里温度135℃左右，观察到一个宽的介电峰 得到了温度、饱和磁滞回线和相应的蝶形应变电场回线。钛酸钡样品经240℃水热反应72h，压电系数为84pc/N。

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