影响抛光过程中砷化镓晶圆表面划痕形成的主要因素有：磨粒发生团聚和抛光工

影响抛光过程中砷化镓晶圆表面划痕形成的主要因素有：磨粒发生团聚和抛光工艺参数选取不合理，如磨粒粒径、划擦深度以及砷化镓材料本身的特性等。

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The main factors that affect the formation of scratches on the surface of the GaAs wafer during polishing are: agglomeration of abrasive particles and unreasonable selection of polishing process parameters, such as abrasive particle size, scratch depth, and characteristics of the GaAs material itself.

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The main factors affecting the formation of scratches on the surface of the arsenide wafer in the polishing process are: the process of grinding and reuniting and the selection of the parameters of the polishing process is unreasonable, such as the particle size, the depth of the scratch and the characteristics of the arsenide-dezone material itself.

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The main factors that affect the scratch formation of GaAs wafer surface in polishing process are: agglomeration of abrasive particles and unreasonable selection of polishing process parameters, such as abrasive particle size, scratch depth and the characteristics of GaAs material itself.

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