1.介绍砷化镓（GaAs）是典型的的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高

1.介绍砷化镓（GaAs）是典型的的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高温、抗辐射、电子迁移率高、功率消耗低等优点[1,2]。

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1. Introduction <br>Gallium arsenide (GaAs) is a typical second-generation semiconductor material, which has the advantages of wide band gap, high temperature resistance, radiation resistance, high electron mobility, and low power consumption [1,2].

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1. Introduction<br>Gallium arsenide (GaAs) is a typical second-generation semiconductor material with advantages such as wide-cut band, high temperature resistance, radiation resistance, high electron migration rate, and low power consumption.

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1. Introduction<br>Gallium arsenide (GaAs) is a typical second-generation semiconductor material, which has the advantages of wide band gap, high temperature resistance, radiation resistance, high electron mobility, low power consumption [1,2].

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