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Nanocrystal aluminum nitride (AlN)

Nanocrystal aluminum nitride (AlN) powders were obtained by the chemical vapor deposition (CVD) process via the AlCl3–NH3–N2 system at 1323 K with various total flow rates. The morphology and formation mechanism of the synthesized AlN powders were characterized by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). It has been shown that all of the obtained powders exclusively belong to the single-phase AlN and do not depend on the variation of the total flow rate of the 1 : 1 molar ratio of the gas mixture of NH3/N2. On the other hand, the crystal shapes were affected by the position of the entry/mixing of the reacting gases of AlCl3 and NH3. The average crystal size of the AlN powders was decreased from 35.0 to 12.5 nm as the gas-mixture flow rates were increased from 200 to 800 cm3/min. A crystal growth model of the AlN powders has been proposed for the stages of the adsorption/desorption rates in the inlet zone of the reacting gases→AlN formation→crystal growth→crystal agglomeration.
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纳米晶体的氮化铝(AlN)粉末,通过化学气相沉积(CVD)工艺通过三氯化铝-NH3-N2系统在1323 K的各种总流率而获得。通过X射线衍射所合成的AlN粉末的形态和形成机理进行了表征(XRD)和透射电子显微镜(TEM)。已经表明,所有所得到的粉末的专属于单相AlN和不依赖于1的总流量的变化:NH 3 / N 2的气体混合物的摩尔比为2:1。在另一方面,晶体的形状是由条目的位置/受影响的AlCl3与NH 3的反应气体的混合。将AlN粉末的平均晶体尺寸从35.0降低到12.5纳米作为气体混合物的流速是从200到800 3 /分钟增加。
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纳米晶体氮化铝 (AlN) 粉末通过化学气相沉积 (CVD) 工艺在 1323 K 下通过 AlCl3_NH3_N2 系统获得,总流速不同。合成AlN粉末的形态和形成机制以X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)为特征。结果表明,所有获得的粉末均属于单相AlN,不依赖于NH3/N2气体混合物1:1摩尔比的总流速变化。另一方面,晶体形状受AlCl3和NH3反应气体进入/混合的位置影响。随着气体混合流量从200到800 cm3/min的增加,AlN粉末的平均晶体尺寸从35.0纳米减小到12.5nm。针对反应气体(AlN形成+晶体生长+晶体聚集)进气区的吸附/脱吸率阶段,提出了AlN粉末的晶体生长模型。
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采用化学气相沉积(CVD)方法,在1323k下,通过AlCl3-NH3-N2体系,在不同的总流量下制备了纳米氮化铝(AlN)粉体。用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对合成的AlN粉体的形貌和形成机理进行了表征。结果表明,所得粉末均为单相AlN,不依赖于NH3/N2气体混合物1:1摩尔比总流量的变化。另一方面,晶体形状受AlCl 3和NH3反应气体进入/混合位置的影响。当混合气体流量从200~800cm3/min时,AlN粉体的平均晶粒尺寸从35.0~12.5nm减小,提出了AlN粉体在反应气体入口区吸附/解吸速率→AlN形成→晶体生长→晶体生长阶段的晶体生长模型集聚。
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