In order to find out the reason for the different TCC performance of t的简体中文翻译

In order to find out the reason for

In order to find out the reason for the different TCC performance of the samples, TEM–EDS analysis has been conducted.Figure 3 shows the TEM images of the typical ceramic grains and EDS line-scan analysis results of the core–shell structure in the grains. The statistic results of dopants distribution in these samples are also illustrated in Fig. 3. It can be seen that, compared with A1-sample (by CS), the shell of A2-sample (by TSS) is thinner and it has a relatively higher intensity of dopants. It is because that during the first-stage sintering process, the kinetics for the doped elements diffusion is quite limited due to the very short holding time (0–10 min) at high temperature (11901C). Therefore, the shell region of TSS-sample is quite thin. This result is similar to others’ research, which reported that the fast-firing method was beneficial to control grain size, core–shell structure, and improvement of the TCC performance.8,9 Moreover, during the first-stage sintering, the samples achieved an intermediate density, and then during the second-stage sintering the samples reached full density without grain growth at a lower temperature, which is owing to the suppression of grain-boundary migration while keeping grain-boundary diffusion active.6 Similar results were also found in B1- and B2-samples. Therefore, the dopants in A2- and B2-sample (TSS-sample) were mainly concentrated in a very short distance from the grain boundary and the shells of TSS-samples were quite thinner than those of CS-samples. Additionally, by the present study, the finest grain size of the dielectric ceramic is as small as 100 nm (A2-sample) by TEM observation.
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为了找出样品的TCC性能不同的原因,进行了TEM-EDS分析。图3显示了典型陶瓷颗粒的TEM图像和EDS线扫描结构的核壳结构分析结果。谷物。这些样品中掺杂物分布的统计结果也显示在图3中。可以看出,与A1样品(通过CS)相比,A2样品(通过TSS)的壳更薄,并且具有相对更高强度的掺杂剂。这是因为在第一步烧结过程中,由于在高温(11901C)下保持时间很短(0-10分钟),掺杂元素扩散的动力学非常有限。因此,TSS样本的壳区域非常薄。这个结果类似于其他人的研究,据报道,快速焙烧法有利于控制晶粒尺寸,核-壳结构和改善TCC性能。8,9而且,在第一步烧结过程中,样品达到了中等密度,然后在第二阶段的烧结过程中,样品在较低的温度下达到了全密度而没有晶粒长大,这是由于抑制了晶界迁移同时保持了晶界扩散的作用。6在B1-和B2-中也发现了类似的结果。样品。因此,A2和B2样品(TSS样品)中的掺杂剂主要集中在距晶界很短的距离内,TSS样品的壳比CS样品的壳薄得多。此外,根据本研究,
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为了找出样品TCC性能不同的原因,对TEM+EDS进行了分析。图 3 显示了典型陶瓷颗粒的 TEM 图像和颗粒中芯壳结构的 EDS 线扫描分析结果。图3还说明了这些样品中多裤子分布的统计结果。可以看到,与 A1 样本(由 CS)相比,A2 样本(由 TSS)的外壳更薄,而且其多裤的强度相对较高。这是因为在第一阶段烧结过程中,掺杂元件扩散的动力学相当有限,因为高温(11901C)的保持时间非常短(0~10分钟)。因此,TSS样本的外壳区域相当薄。这个结果和别人的研究很相似, 报告认为,快速烧结法有利于控制粒体大小、芯壳结构,提高TCC性能。和B2样本。因此,A2-和B2样本(TSS-样本)中的多普剂主要集中在距离粒边界的非常短的距离内,TSS样品的壳体比CS样本的壳体要薄得多。此外,根据本研究,通过TEM观测,介电陶瓷的最佳颗粒尺寸小至100纳米(A2样本)。
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为了找出不同TCC性能的原因,对样品进行了TEM-EDS分析进行中。图3给出了典型陶瓷晶粒的TEM图像和晶粒中核壳结构的EDS线扫描分析结果。图3还说明了这些样品中掺杂剂分布的统计结果。可以看出,与A1样品(CS)相比,A2样品(TSS)的外壳更薄,掺杂强度相对较高。这是因为在第一阶段的烧结过程中,由于高温(11901℃)的保温时间很短(0~10min),掺杂元素的扩散动力学非常有限。因此,TSS样品的壳层很薄。这一结果与其他研究相似,即快速烧成法有利于控制晶粒尺寸、核壳结构和TCC性能的提高,在第二阶段烧结过程中,由于抑制了晶界迁移,同时保持了晶界扩散,使样品在较低温度下达到了完全致密,没有晶粒长大。因此,A2和B2样品(TSS样品)中的杂质主要集中在离晶界很短的距离内,并且TSS样品的壳层比CS样品薄。此外,通过TEM观察,介电陶瓷的最细晶粒尺寸为100nm(A2样品)。<br>
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