This research focuses on ultra smoo

This research focuses on ultra smooth surface preparation with root mean square (rms) roughness values R_q < 0.15nm. To reach our goal, we applied low energy (〜2 keV ) Ar+ ion beam sputtering process at different angles of sputtering. After irradiation, the samples were analyzed by AFM to obtain root mean square (rms) roughness values R_q The smoothing techniques were applied on common substrate material such as single crystal Si and Slide glass. Result shows by low energy ion beam with optimum condition, 0.10 nm rms surface roughnesses can be reached.

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这项研究专注于具有均方根（rms）粗糙度值R_q <0.15nm的超光滑表面制备。为了达到我们的目标，我们在不同的溅射角度应用了低能（〜2 keV）Ar +离子束溅射工艺。辐照后，通过原子力显微镜（AFM）分析样品以获得均方根（rms）粗糙度值R_q。将平滑技术应用于单晶Si和载玻片等常见基材。结果表明，在最佳条件下使用低能离子束，可达到0.10 nm rms的表面粗糙度。

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本研究侧重于具有根平均平方（rms）粗糙度值的超平滑表面制备，R_q ± 0.15nm。为了达到我们的目标，我们应用低能量（+2 keV ） Ar+ ion 光束溅射过程，在不同角度的溅射。辐照后，AFM对样品进行分析，获得根平均平方（rms）粗糙度值R_q在单晶Si和滑动玻璃等常见基材上应用了平滑技术。结果表明，低能电束具有最佳条件，可达到0.10nm rms表面粗糙度。

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本研究主要针对粗糙度均方根（rms）值Rúq<0.15nm之超光滑表面制备。为了达到我们的目标，我们在不同的溅射角度下采用了低能（~2kev）Ar+离子束溅射工艺。辐照后用原子力显微镜（AFM）对样品进行分析，得到粗糙度的均方根（rms）值Rúq。对常用的衬底材料如单晶Si和玻片进行了平滑处理。结果表明，在最佳条件下，低能离子束可以获得0.10nm rms的表面粗糙度。<br>

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