Previous studies [39] have confirme

Previous studies [39] have confirmed that all the interfaces,whether they are grain boundaries or phase boundaries or whetherthey belong to the coherent or incoherent interfaces, can inhibit theheat flow without exception through phonon scattering in thesystem, resulting in remarkable reduction in kL. Moreover, thestudies show that the thermal conductivity depends sensitively onthe interface density (interface area per unit volume) following auniversal curve. In other words, kL reduces gradually with theincreasing interface density. Undoubtedly, the volume fraction ofphase boundaries Fp (as listed in Table 1) increase with theincreasing GNs content for f(GNs)/BiSbTe composites. As shown inFig. 8(c), it is quite clear that kL for f(GNs)/BiSbTe decreases with theincreasing Fp, which is originated from the enhanced phononscattering by the incorporated nanosheets and the phase boundaries. Anomalously, k for the 0.3 vol.% GNs/BiSbTe compositesample is larger than that of the 0.4 vol.% GNs/BiSbTe sample, whichcan be attributed to its much higher kC caused by the increase inelectrical resistivity r.

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先前的研究[39]已经证实，所有界面， 无论是晶界还是相界，或者是 属于相干界面还是非相干界面，都可以 通过 系统中的声子散射而毫无阻碍地抑制热流，从而显着降低了升此外， 研究表明，热导率敏感地取决于 遵循 通用曲线的界面密度（每单位体积的界面面积）。换句话说，kL 随着界面密度的增加而逐渐减小。毫无疑问，随着f（GNs）/ BiSbTe复合材料中GNs含量 的 增加，相界Fp 的体积分数（如表1所示）也随之增加。如图所示 从图8（c）可以很清楚地看出，f（GNs）/ BiSbTe的kL 随着Fp 的增加而减小，这是 由于掺入的纳米片和相边界增强了声子的散射。异常地，0.3体积％GNs / BiSbTe复合 样品的k 大于0.4体积％GNs / BiSbTe复合样品的k ，这 可以归因于 电阻率r 的增加导致kC高得多。

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以前的研究[39]已经证实所有的接口， 它们是否为颗粒边界或相边界，或者是否 它们属于相干或不相干的接口，可以抑制 热流无一例外通过磷光散射在 系统，导致显著减少kL。此外， 研究表明，导热性敏感地取决于 接口密度（单位体积的接口面积）后 通用曲线。换句话说，kL 逐渐减少 增加接口密度。毫无疑问，体积部分 相位边界 Fp（如表 1 中列出的）随 增加 f（GN）/BiSbTe 复合材料的 GN 含量。如所示 图 8（c），很明显，f（GN）/BSbTe 的 kL 会随着 增加 Fp，它源自增强的声名 通过合并的纳米片和相边界散射。异常地，k 表示 0.3 vol.% GNs/BiSbTe 复合材料 样本大于 0.4 vol.% GN/BiSbTe 样本的样本，后者 可以归因于其高得多的kC引起的增加 电阻率 r.

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先前的研究[39]证实了所有的界面， 无论是晶界还是相界 它们属于相干或非相干界面，能抑制 声子散射中的热流 系统，导致kL显著降低。而且 研究表明，导热系数敏感地依赖于 界面密度（单位体积界面面积） 万能曲线。换句话说，kL随着 增加界面密度。毫无疑问 相界Fp（如表1所列）随着 提高f（GNs）/BiSbTe复合材料的GNs含量。如所示 图8（c），很明显，f（GNs）/BiSbTe的kL随 提高Fp，这是由增强声子引起的 纳米片和相界的散射。反常的是，0.3 vol.%GNs/BiSbTe复合材料的k 样品大于0.4 vol.%GNs/BiSbTe样品，其中 可归因于其高得多的kC是由 电阻率r。

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