(1) eine Bewertung des elektromagnetischen Grundfeldes und seiner Grenz- und Feldstrahlungsprobleme; (2) Widerstand und Übertragungskonstante der Verbindungseigenschaften; (3) Modell oder Resonanzlösung der Struktur selbst; (4) entsprechen S-Parametern und S-Parametern, die dem Portwiderstand entsprechen.