探究不同晶面,不同晶向条件下,对划痕形成的影响。设置划擦深度都是2.0nm,模拟了上述三种晶面,五个划擦方向下的划擦过程,其仿真结果如下图所的英语翻译

探究不同晶面,不同晶向条件下,对划痕形成的影响。设置划擦深度都是2.0

探究不同晶面,不同晶向条件下,对划痕形成的影响。设置划擦深度都是2.0nm,模拟了上述三种晶面,五个划擦方向下的划擦过程,其仿真结果如下图所示
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Explore the effects of different crystal planes and different crystal orientations on the formation of scratches. The scratch depth is set to 2.0nm, which simulates the above three crystal planes and the scratch process under the five scratch directions. The simulation results are shown in the following figure
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To explore the effects of different crystal surfaces and different crystal-toward conditions on scratch formation. The setting stroke depth is 2.0nm, which simulates the above three crystal surfaces, the scratch process under the five stroke directions, and the simulation results are shown in the figure below
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To explore the influence of different crystal faces and different crystal directions on the formation of scratches. Set the scratch depth to 2.0nm, and simulate the scratch process under the above three crystal faces and five scratch directions. The simulation results are shown in the figure below<br>
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