l Gate LayerSpecify the gate layer name in layout.l Active LayerSpecif的简体中文翻译

l Gate LayerSpecify the gate layer

l Gate LayerSpecify the gate layer name in layout.l Active LayerSpecify the active layer (or semi conductor layer) name in layout.l S/D LayerSpecify the S/D Layer name in layout.l Source/Drain SignalSpecify the source and drain signal names which form the TFT device. RCExplorerFPD will use those signals whose names are started with “s” or “d” non-case sensibility, as the default source or drains. If there are names other than the default setting, user should select all those signals to fill them into the Source/Drain signal fields. When the “Gate On Mode” is selected in the output db file, the capacitance is simulated under Gate On Mode. There will be not the capacitance between source and drain signals. And the source and drain signals will be added to active layer of channel. As shown in Figure 3‑18,
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l Gate Layer<br><br>指定layout中的gate层名称。<br><br>l Active Layer<br><br>指定布局中的活动层(或半导体层)名称。<br><br>l S/D Layer<br><br>指定布局中S/D Layer 的名称。<br><br>l Source/Drain Signal<br><br>指定构成TFT器件的源极和漏极信号名称。<br><br> <br><br>RCExplorerFPD 将使用名称以“s”或“d”开头(不区分大小写)的信号作为默认源或漏。如果有默认设置以外的名称,用户应选择所有这些信号并将其填充到源极/漏极信号字段中。<br><br> <br><br>当在输出db文件中选择“Gate On Mode”时,将在Gate On Mode下模拟电容。源极和漏极信号之间不会有电容。并且源极和漏极信号将被添加到沟道的有源层。如图3-18所示,
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l栅极层<br>在布局中指定浇口层名称。<br>l有源层<br>在布局中指定活动层(或半导体层)的名称。<br>l S/D层<br>指定布局中的S/D层名称。<br>l源极/漏极信号<br>指定形成TFT器件的源极和漏极信号名称。<br>RCEexplorerFPD将使用那些名称以“s”或“d”非大小写敏感开头的信号作为默认源或漏。如果存在默认设置以外的名称,用户应选择所有这些信号,将其填充到源/漏信号字段中。<br>当在输出db文件中选择“Gate On Mode”时,电容在Gate On Mode下进行模拟。在源极和漏极信号之间将不存在电容。并且源极和漏极信号将被添加到沟道的有源层。如图3-18所示,
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l栅极层<br><br>在布局中指定门层名称。<br><br>l活性层<br><br>在布局中指定活动层(或半导体层)名称。<br><br>表层/表层<br><br>在布局中指定S/D层名称。<br><br>l源极/漏极信号<br><br>指定构成TFT设备的源极和漏极信号名称。<br><br><br><br>RCExplorerFPD将使用那些名称以“s”或“d”开头的信号(不区分大小写),作为默认的源或漏。如果有不同于默认设置的名称,用户应选择所有这些信号,将其填入源极/漏极信号字段。<br><br><br><br>当在输出db文件中选择“栅极开启模式”时,在栅极开启模式下模拟电容。源极和漏极信号之间将不存在电容。并且源极和漏极信号将被添加到沟道的有源层。如图3-18所示,
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