在缺陷结构中，缺陷能级通常在导带以下产生，当光生电子转移到N2分子时，

在缺陷结构中，缺陷能级通常在导带以下产生，当光生电子转移到N2分子时，通常首先将它们转移到缺陷能级。

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In der Defektstruktur wird das Defektenergieniveau normalerweise unterhalb des Leitungsbandes erzeugt. Wenn photogenerierte Elektronen auf N2-Moleküle übertragen werden, werden sie normalerweise zuerst auf das Defektenergieniveau übertragen.

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在缺陷结构中，缺陷能级通常在导带以下产生，当光生电子转移到N2分子时，通常首先将它们转移到缺陷能级。

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In defect structure, defect energy levels are usually generated below the conduction band. When photogenerated electrons are transferred to N2 molecules, they are usually transferred to defect energy levels first.<br>

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