Initial stabilization of c-Si modul

Initial stabilization of c-Si modules shall be obtained by exposing all modules to sunlight (either real or simulated) to an irradiation dose level of ≥10 kWh/m2. After this preconditioning all of the test modules shall be measured for STC power (MQT 06.1).

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c-Si 模块的初始稳定性应通过将所有模块暴露在阳光下<br>（真实的或模拟的）以 ≥10 kWh/m2 的辐照剂量水平获得。在此预处理之后<br>，应测量所有测试模块的 STC 功率（MQT 06.1）。

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c-Si模块的初始稳定应通过将所有模块暴露在阳光下来实现<br>（真实或模拟）辐射剂量水平为≥10千瓦时/平方米。在这个预处理之后<br>应测量所有测试模块的STC功率（MQT 06.1）。

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c-Si模块的初始稳定性应通过将所有模块暴露在阳光下来实现(真实的或模拟的)辐照剂量水平≥10 kWh/m2。在预处理之后应测量所有测试模块的STC功率(MQT 06.1)。

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