本文将研究在抛光过程中，抛光液中磨粒粒径与抛光工艺参数抛光深度等对于G

本文将研究在抛光过程中，抛光液中磨粒粒径与抛光工艺参数抛光深度等对于GaAs晶圆表面划痕形成的影响，揭示GaAs晶圆表面划痕的创成特征。

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In this article, we will study the influence of the abrasive particle size in the polishing liquid and the polishing process parameters on the formation of scratches on the surface of the GaAs wafer during polishing, and reveal the genesis of the scratches on the surface of the GaAs wafer.

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In this paper, we will study the effect of grinding particle size and polishing depth of polishing process parameters on the surface scratch formation of GaAs wafers in the polishing process, and reveal the pioneering characteristics of the surface scratches of GaAs wafers.

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In this paper, we will study the influence of abrasive particle size and polishing depth on the scratch formation of GaAs wafer surface, and reveal the scratch formation characteristics of GaAs wafer surface.

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