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（100）偏（111）2°、（100）偏（111）6°、（100）偏（111）15°三种晶面的GaAs由于原子面密度和层间距不同，导致划擦过程中相接触原子数也不同。

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(100) Offset (111) 2 °, (100) Offset (111) 6 °, (100) Offset (111) 15 ° The three crystal planes of GaAs have different atomic plane densities and layer spacings, which leads to the phases The number of atoms in contact is also different.

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（100）偏（111）2°、（100）偏（111）6°、（100）偏（111）15°三种晶面的GaAs由于原子面密度和层间距不同，导致划擦过程中相接触原子数也不同。

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Due to the difference of atomic surface density and layer spacing, the number of atoms in contact with each other is different during the scratching process.<br>

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