Etch rates of 1.0-1.5 mm/minute occur in the plane of silicon with et的简体中文翻译

Etch rates of 1.0-1.5 mm/minute occ

Etch rates of 1.0-1.5 mm/minute occur in the plane of silicon with etch temperatures of 85-115°C for common etchants such as EDP and KOH[6].
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在硅平面中，蚀刻速率为1.0-1.5 mm / min，对于普通蚀刻剂（如EDP和KOH），蚀刻温度为85-115°C [6]。
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在蚀刻温度为 85-115°C 的硅平面中，如 1.0-1.5 mm/分钟，蚀刻率为 85-115°C，适用于 EDP 和 KOH[6]等常见蚀刻剂。
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对于EDP和KOH等常用蚀刻剂，蚀刻速度为1.0-1.5 mm/min，蚀刻温度为85-115°C。<br>
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