Use the following procedure to identify hot spot sensitive cells:a) Ex的简体中文翻译

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Use the following procedure to identify hot spot sensitive cells:a) Expose the unshadowed module to the radiant source with irradiance between 800 W/m 2and 1 1 00 W/m 2 using one of the following:? A pulsed solar simulator where the module temperature will be close to roomtemperature (25 ± 5) °C.? A steady-state solar simulator where the module temperature shall be stabilised within±5 °C before beginning the measurements.? Sunlight where the module temperature shall be stabilised within ±5 °C before beginningthe measurements.For bifacial modules, exposure for cell selection is to the module front, with the module backside covered to sufficiently limit the contribution from the non-exposed side of the moduleto or below the levels specified for "non-irradiated background" in IEC TS 60904-1 -2.b) Shadow each cell completely in turn, measure the resultant I-V curve and prepare a set ofcurves like Figure 4. For bifacial modules, if double-side illumination is utilized, both thefront and the back of the cell shall be shadowed entirely. If single-side illumination is utilized,the rear shadowing is accomplished by the requirement of non-irradiated backgrounddefined in IEC TS 60904-1 -2.NOTE For the SP case the deformation of the module I-V curve is added to the sectional I-V curve of the fullyilluminated parallel sub-section and so does not continue to V oc .c) Select the cell adjacent to the edge of the module that has the lowest shunt resistance, i.e.the one with the highest leakage current.d) Select the two lowest shunt resistance cells (in addition to the cell in c), those with thehighest leakage current.e) Select the cell with the highest shunt resistance.f) For bifacial modules, if some cells are permanently shadowed by design (e.g. junction boxor back rails), those cells shall also be selected for hot-spot testing.g) Begin cell testing procedure by determining the worst case shadowing condition for each ofthe selected cells:1 ) Expose the unshadowed module to a single-sided irradiance in the range of 800 W/m 2to 1 1 00 W/m 2 . The exposure shall meet the requirements described in 4.9.5.2 a).2) After thermal stabilisation of ±5 °C is attained, measure the module I-V characteristicand determine the maximum power current I MP1 (initial performance P MP1 ).3) Expose the module to irradiance meeting the requirements of 4.9.5.2 a). Then use oneof the methods in step 4) below to determine the worst case shadowing for each selectedcell.4) Determine the worst-case shadowing for each of the selected test cells use one of themethods i) to iii) below.i) If the cell circuit is accessible, short-circuit the module and attach the currentmeasuring equipment such that it is reading only the current through the cell stringunder test. For each selected test cell, shadow that cells and determine what shadowlevel results in the current through the shadowed cell being equal to the unshadowedI MP1 determined in step g)2). This is the worst case shadowing for that cell.ii) If the cell circuit is not accessible, the first option for determining worst caseshadowing involves taking I-V curves. Take a set of I-V curves with each of theselected test cells shadowed at different levels as shown in Figure 5. Determine theworst case shadowing condition, which occurs when the current through theshadowed cell (the point where the by-pass diode turns on) coincides with theoriginal unshadowed I MP1 determined in a), like curve c) in Figure 5, at the sameirradiance level as used in a). If the bypass diode does not turn on when the selectedcell is fully shadowed, the worst case hot-spot condition is achieved by completelyshadowing the cell.
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使用以下程序来识别热点敏感电池:<br>a)使用以下方法之一将无阴影模块暴露于辐照度介于 800 W/m 2<br>和 1 1 00 W/m 2之间的辐射源:<br>? 一个脉冲太阳模拟器,其中模块温度将接近室温<br>(25 ± 5) °C。<br>? 一个稳态太阳模拟器,<br>在开始测量之前,模块温度应稳定在±5 °C以内。<br>? 在开始<br>测量之前,模块温度应稳定在 ±5 °C 以内的阳光照射。<br>对于双面组件,电池选择暴露在组件正面,组件背面<br>被覆盖以充分限制来自组件非暴露面的贡献<br>达到或低于 IEC TS 60904-1 -2 中为“非辐照背景”指定的水平。<br>b) 依次对每个电池完全遮蔽,测量得到的IV曲线并准备一组<br>如图4所示的曲线。对于双面组件,如果采用双面照明,<br>电池的正面和背面都应完全遮蔽。如果使用单侧照明,<br>则后部阴影通过<br>IEC TS 60904-1 -2 中定义的非辐照背景要求来实现。<br>注:对于 SP 情况,模块 IV 曲线的变形被添加到完全<br>照明的平行子部分的截面 IV 曲线上,因此不会延续到 V oc 。<br>c) 选择靠近模块边缘的具有最低分流电阻的电池,即<br>漏电流最高的电池。<br>d) 选择两个分流电阻最低的电池(除了 c 中的电池),也就是<br>漏电流最高的电池。<br>e) 选择分流电阻最高的电池。<br>f) 对于双面组件,如果某些电池被设计永久遮蔽(例如接线盒<br>或背轨),则还应选择这些电池进行热点测试。<br>g) 通过确定每个<br>选定电池的最坏情况遮蔽条件开始电池测试程序:<br>1 ) 将未遮蔽的模块暴露在 800 W/m 2 范围内的单面辐照度下<br>到 1 1 00 W/m 2 。暴露应满足 4.9.5.2 a) 中描述的要求。<br>2) 在达到±5 °C 的热稳定后,测量模块IV 特性<br>并确定最大功率电流I MP1 (初始性能P MP1 )。<br>3) 将组件暴露在满足 4.9.5.2 a) 要求的辐照度下。然后使用<br>下面步骤 4) 中的一种方法来确定每个选定<br>单元格的最坏情况阴影。<br>4) 使用以下<br>i) 至 iii) 方法之一确定每个选定测试单元的最坏情况阴影。<br>i) 如果电池电路可触及,则将模块短路并连接电流<br>测量设备,使其仅读取通过电池串的电流<br>正在测试中。对于每个选定的测试单元,屏蔽该单元并确定<br>导致通过被屏蔽单元的电流等于<br>步骤 g)2) 中确定的未屏蔽I MP1 的阴影电平。这是该单元格的最坏情况下的阴影。<br>ii) 如果单元电路不可访问,确定最坏情况<br>阴影的第一个选项涉及采用 IV 曲线。取一组 IV 曲线,其中每个<br>选定的测试单元都在不同级别的阴影处,如图 5 所示。确定<br>最坏情况下的阴影条件,当电流通过<br>阴影单元时(旁路二极管开启的点) ) 与<br>a) 中确定的原始无阴影 I MP1重合,如图 5 中的曲线 c),同时<br>a) 中使用的辐照度水平。如果在所选<br>单元完全被遮蔽时旁路二极管没有开启,则通过完全<br>遮蔽该电池来实现最坏情况的热点条件。
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使用以下步骤识别热点敏感单元:<br>a) 将无阴影模块暴露在辐照度在800 W/m 2之间的辐射源下<br>和1 100 W/m 2,使用以下其中一种:<br>? 模块温度接近室温的脉冲太阳模拟器<br>温度(25±5)°C。<br>? 稳态太阳模拟器,其中模块温度应稳定在<br>开始测量前±5°C。<br>? 开始之前,模块温度应稳定在±5°C范围内的阳光<br>测量。<br>对于双面模块,单元选择的曝光在模块正面,模块背面<br>覆盖侧,以充分限制模块非暴露侧的贡献<br>达到或低于IEC TS 60904-1-2中“非辐照背景”规定的水平。<br>b) 依次对每个单元格进行完全阴影处理,测量生成的I-V曲线,并准备一组<br>曲线如图4所示。对于双面模块,如果使用双面照明,则<br>电池的正面和背面应完全遮蔽。如果使用单面照明,<br>后阴影是由非辐照背景的要求来实现的<br>定义见IEC TS 60904-1-2。<br>注:对于SP的情况,模块I-V曲线的变形被添加到完全密封的截面I-V曲线中<br>照亮的平行分段,因此不会继续V oc。<br>c) 选择模块边缘附近分流电阻最低的单元,即。<br>泄漏电流最大的一个。<br>d) 选择两个最低的并联电阻单元(除c中的单元外),即<br>最高泄漏电流。<br>e) 选择分流电阻最高的单元。<br>f) 对于双面模块,如果某些单元被设计永久遮蔽(例如接线盒<br>也应选择这些电池进行热点测试。<br>g) 通过确定每个单元的最坏情况阴影条件,开始单元测试程序<br>所选单元格:<br>1)将无阴影模块暴露在800 W/m2范围内的单面辐照度下<br>至1 100瓦/平方米。暴露应符合4.9.5.2 a)中所述的要求。<br>2) 在达到±5°C的热稳定后,测量模块I-V特性<br>并确定最大功率电流I MP1(初始性能P MP1)。<br>3) 将模块暴露在符合4.9.5.2 a)要求的辐照度下。然后用一个<br>以下步骤4)中的方法之一,以确定每个选定对象的最坏情况阴影<br>牢房。<br>4) 使用下列方法之一确定每个选定测试单元的最坏情况阴影:<br>方法一至三)。<br>i) 如果可以接触到电池电路,则对模块短路并连接电流<br>测量设备,使其仅读取通过电池串的电流<br>正在测试中。对于每个选定的测试单元,对该单元进行阴影处理,并确定阴影是什么<br>级别导致通过阴影单元格的电流等于未阴影单元格的电流<br>I在步骤g)2中确定的MP1)。这是该单元最糟糕的阴影情况。<br>ii)如果电池电路不可接近,确定最坏情况的第一个选项<br>阴影包括绘制I-V曲线。取一组I-V曲线,其中每个<br>如图5所示,选定的测试单元在不同的水平上有阴影。确定<br>最坏情况下的阴影条件,当电流通过<br>阴影单元(旁路二极管打开的点)与<br>原始无阴影I MP1在a)中确定,如图5中的曲线c),同时<br>a)中使用的辐照度水平。如果旁通二极管在选择时未接通<br>电池被完全遮蔽,最坏情况下的热点条件通过完全遮蔽实现<br>跟踪牢房。<br>
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使用以下步骤识别热点敏感单元:a)将无遮蔽模块暴露在辐照度在800瓦/米2之间的辐射源下和1 1 00瓦/平方米,使用以下其中一种:?模块温度接近室温的脉冲太阳模拟器温度(25±5)℃?稳态太阳模拟器,其中模块温度应稳定在开始测量前,温度为5℃。?开始前模块温度应稳定在5℃以内的阳光测量结果。对于双面模块,单元选择暴露在模块正面,模块背面侧面被覆盖,以充分限制来自模块非暴露侧的影响达到或低于IEC TS 60904-1 -2中规定的“非辐照背景”水平。b)依次完全遮蔽每个细胞,测量所得的伏安曲线,并准备一套类似于图4的曲线。对于双面模块,如果使用双面照明,则牢房的正面和背面应完全被遮蔽。如果使用单面照明,后阴影是通过要求非照射背景来实现的在IEC TS 60904-1 -2中定义。注:对于标准配置情况,模块I-V曲线的变形被添加到完整的截面I-V曲线中被照亮的平行子部分,因此不会延续到0C。c)选择与分流电阻最低的模块边缘相邻的电池,即泄漏电流最高的那个。d)选择两个分流电阻最低的电池(除了c中的电池),即最高漏电流。e)选择分流电阻最高的电池。f)对于双面模块,如果某些电池被设计永久遮蔽(例如接线盒或后轨),也应选择这些电池进行热点测试。g)通过确定以下各项的最坏情况阴影条件,开始细胞测试程序选定的单元格:1)将无遮蔽模块暴露在800瓦/米2范围内的单面辐照度下到1 1 00瓦/平方米。暴露应符合4.9.5.2 a)中描述的要求。2)达到5℃的热稳定性后,测量模块的伏安特性并确定最大功率电流I MP1(初始性能P MP1)。3)将模块暴露在符合4.9.5.2 a)要求的辐照度下。那就用一个以下步骤4)中的方法,以确定每个所选的最坏情况阴影细胞。4)使用以下方法之一确定每个选定测试单元的最坏情况阴影下面的方法I)至iii)。I)如果电池电路可用,将模块短路并连接电流测量设备,以便仅读取通过电池串的电流正在测试中。对于每个选定的测试单元,对该单元进行阴影化,并确定阴影是什么电平导致通过阴影单元的电流等于未阴影的电流I步骤g)2)中确定的MP1。这是该单元最糟糕的阴影情况。ii)如果电池电路不可访问,则确定最坏情况的第一选项阴影涉及到获取I-V曲线。用每一个如图5所示,选定的测试单元在不同的级别上被遮蔽。确定最差情况阴影条件,当电流通过阴影单元(旁路二极管导通的点)与与图5中的曲线c)一样,在a)中确定的原始无阴影图像MP1,同时a)中使用的辐照度等级。如果旁路二极管在被选择时没有导通单元被完全遮蔽,最坏情况下的热点条件是通过完全隐藏细胞。
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