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Single-crystals are important in ma

Single-crystals are important in many applications ranging from synthetic gemstones for jewelry to hosts for solid-state lasers. For some applications, ceramic materials must be prepared as single-crystals. When used as substrates for thin film growth (e.g. gallium-on-sapphire technology or the growth of superconductor thin films) it is the crystalline perfection of a single-crystal that is important. Wide bandgap semiconductors such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) have drawn a lot of attention in power applications due to their superior material properties such as high critical electric field resulting in a minimum of 10 times higher breakdown voltage or a 100 times smaller on-resistance than Si. These unique properties of SiC and GaN materials have made them promising candidates for future high power, high frequency semiconductor devices. In optical applications, e.g. the use of ruby and yttrium–aluminum–garnet (YAG) for laser hosts and quartz and sapphire for optical windows, single-crystals are used to minimize scattering or absorption of energy. In piezoelectric materials, e.g. quartz, the optimum properties are obtained in single-domain single-crystals. Some of the applications that utilize the desirable optical, electrical, magnetic, or mechanical properties of ceramic single-crystals.Substrate diameters for the single-crystal have been steadily increasing since the commercial introduction of substrates in 1990 and crystal defects have been greatly reduced in the past 15 years. Commercial devices are available, but their widespread use will depend on the ability of growers to make large, inexpensive, defect free materials available.While various methods for measuring the defect of single-crystal thin films have been presented until now, the most typical method for measuring the crystalline quality (degree of average defect) of single-crystal thin films that have wide area (2 inch, 4 inch and 6 inch, etc.) is X-ray diffraction (XRD) method with parallel X-ray beam. However, this method can easily create a great error margin as the result value is analysed to be very different depending on the measuring process and conditions of the user or the pre-treatment of sample, etc.Therefore, a standard on universal measurement methods and conditions is absolutely necessary.Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
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单晶体是在许多应用中,从珠宝宝石合成为固态激光器主机重要。对于一些应用,陶瓷材料必须为单结晶来制备。当用作薄膜生长基质使用(例如镓 - 蓝宝石上技术或超导体薄膜的生长)是单晶是重要的晶体完整性。宽禁带半导体,例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)已经引起了大量的在功率应用注意由于其优越的材料性质,如导致最小的10倍以上的击穿电压或100的高临界电场次导通电阻除Si小。碳化硅和氮化镓材料的这些独特的性质使他们有希望为未来的高功率的候选人,高频半导体器件。在光学应用中,例如使用红宝石和钇铝石榴石(YAG)激光主机和石英和蓝宝石光学窗,单晶体用于最小化散射或吸收能量。在压电材料,例如石英,最佳特性在单一结构域的单晶体。一些利用陶瓷单晶体的所需的光学,电,磁,或机械性能的应用。<br>对于单结晶基板的直径已经由于商用引进于1990年底物和晶体缺陷已经在过去15年中已大大减少在稳步增加。商业设备可用,但它们的广泛使用将取决于种植者,使大,价格低廉,无缺陷的材料可用的能力。<br>虽然用于测量单晶薄膜的缺陷的各种方法已经被提出了到现在为止,用于测量晶体质量的单晶薄膜具有广域的(度平均缺陷的)最典型的方法(2英寸,4英寸和6英寸等)的X射线衍射(XRD)方法用平行X射线束。然而,作为结果值被分析为根据测量过程和用户或样品的前处理等的条件非常不同这种方法可以很容易地建立一个大的误差容限<br>。因此,普遍的测量方法标准和条件是绝对必要的。<br>细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷) - 用于使用XRD方法具有平行X射线束的单晶薄膜的晶体质量(晶片)的试验方法
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单晶在许多应用中都很重要,从用于珠宝的合成宝石到固态激光器的宿主。对于某些应用,陶瓷材料必须制备为单晶。当用作薄膜生长的基板(例如蓝宝石上氧化铝技术或超导体薄膜的生长)时,单晶的晶体完美非常重要。宽带隙半导体(如碳化硅 (SiC) 和氮化氢 (GaN) 在电源应用中备受关注,因为它具有优越的材料性能,如高临界电场,导致至少 10 倍的分解电压或比 Si 小 100 倍的电阻。SiC 和 GaN 材料的这些独特特性使它们成为未来高功率、高频半导体器件的有前途的候选产品。在光学应用中,例如,将红宝石和 ytrium_铝石榴石 (YAG) 用于激光主机,将石英和蓝宝石用于光学窗口,单晶用于最大限度地减少散射或能量吸收。在压电材料(如石英)中,在单域单晶中获得最佳性能。一些应用,利用陶瓷单晶的理想光学、电气、磁性或机械特性。<br>自1990年商业引入基材以来,单晶基板的直径一直在稳步增加,在过去15年中,晶体缺陷已大大减少。商业设备是可用的,但其广泛使用将取决于种植者的能力,使大,廉价,无缺陷材料可用。<br>到目前为止,已经提出了各种测量单晶薄膜缺陷的方法,但测量面积广(2英寸、4英寸和6英寸)的单晶薄膜晶体质量(平均缺陷程度)的最典型方法英寸等)是具有平行 X 射线光束的 X 射线衍射 (XRD) 方法。然而,这种方法很容易产生很大的误差裕量,因为根据用户的测量过程和条件或样品的预处理等,结果值分析结果值非常不同。<br>因此,对通用测量方法和条件的标准是绝对必要的。<br>精细陶瓷(先进陶瓷,先进技术陶瓷)•使用XRD方法,采用平行X射线束的单晶薄膜(晶圆)晶体质量测试方法 ...
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单晶在许多应用中都很重要,从珠宝用合成宝石到固体激光器的主机。对于某些应用,陶瓷材料必须制备成单晶。当用作薄膜生长的衬底(例如蓝宝石技术上的镓或超导薄膜的生长)时,单晶的结晶完美性是重要的。宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)由于其优异的材料性能,如高临界电场,使其击穿电压至少比Si高10倍或导通电阻小100倍,在电力应用中受到了广泛的关注。SiC和GaN材料的这些独特性能使它们成为未来高功率、高频半导体器件的理想候选材料。在光学应用中,例如使用红宝石和钇铝石榴石(YAG)作为激光主机,使用石英和蓝宝石作为光学窗口,单晶被用来最小化能量的散射或吸收。在压电材料(如石英)中,单畴单晶的性能最佳。利用陶瓷单晶理想的光学、电学、磁学或机械特性的一些应用。<br>自1990年衬底商业化以来,单晶的衬底直径一直在稳步增加,近15年来晶体缺陷大大减少。商业设备是可用的,但它们的广泛使用将取决于种植者是否有能力提供大的、便宜的、无缺陷的材料。<br>迄今为止,人们已经提出了各种测量单晶薄膜缺陷的方法,而测量大面积(2英寸、4英寸和6英寸等)单晶薄膜晶体质量(平均缺陷程度)的最典型方法是平行X射线衍射(XRD)法。但是,这种方法很容易产生很大的误差,因为根据用户的测量过程和条件或样品的预处理等,分析结果值相差很大。<br>因此,制定一个通用的测量方法和条件的标准是十分必要的。<br>精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜(晶片)结晶质量的试验方法<br>
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