Before the deposition process, the

Before the deposition process, the Si substrates were cleaned in an ultrasonic bath, first with acetone then ethanol solutions, dried and kept at room temperature. The target was cleaned by ion etching for 2 min in an argon plasma discharge.

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在沉積過程之前，先在超聲浴中清洗Si襯底，首先用丙酮清洗，然後再用乙醇溶液清洗，乾燥並保持在室溫下。在氬氣等離子體放電中通過離子蝕刻2分鐘來清潔目標。

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在沉積過程之前,Si 基材在超聲波浴中清洗,首先使用丙酮,然後使用乙醇溶液,乾燥並保持在室溫下。目標通過離子蝕刻在砷等離子體放電中清潔2分鐘。

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在沉積過程之前，先用丙酮溶液，然後用乙醇溶液，在超聲波浴中清洗矽襯底，乾燥並在室溫下保存。在氬电浆放電中用離子刻蝕2分鐘來清洗靶材。<br>

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