1) Dye-sensitized solar cells with modified TiO2 surface chemical stat的简体中文翻译

1) Dye-sensitized solar cells with

1) Dye-sensitized solar cells with modified TiO2 surface chemical states: the role of Ti3+ - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 192104 (2011).
2) Thin film CdTe solar cells with an absorber layer thickness in micro- and sub-micrometer scale - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 143502 (2011).
3) Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface - J. Materials Research - 2011 - 26, 697 (2011).
4) Effect of CdCl2 annealing treatment on thin CdS films prepared by chemical bath deposition - Thin Solid Films - 2010 - 518, 6858 (2010).
5) in-situ observation of phase formation in a Cu-In-2Se precursor layer using micro-Raman scattering spectroscopy - J. Materials Research - 2009 - 24, 2373 (2009).
6) P-type CuInSe2 thin films prepared by selenization of one-step electrodeposited precursors - J. Materials Research - 2009 - 24, 2293 (2009).
7) Lattice vibration fundamentals in nanocrystalline anatase investigated with Raman scattering - J. Phys.: Condens. Matter - 2008 - 20, 085212 (2008).
8) Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anantase: temperature-dependent study using micro-Raman scattering spectroscopy - J Appl Phys. - 2007 - 101, 113501 (2007).
9) Lattice Vibration Fundamentals of Anatase Nanocrystalline TiO2 Thin Films Detected Using Unpolarized Infrared Spectroscopy - Chemistry Letters - 2006 - 35, 884 (2006).
10) Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique - Applied Physics Letters - 2006 - 88, 041913 (2006).
11) Micro-Raman scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111)by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Applied.Physics - 2005 - 97(2005)
12) Characterization of GaN grown on patterned Si(111) substrate - Journal of Crystal Growth - 2004 - 272
13) Si-doped cubic GaN grown on Si(001)substrate coated with a thin flat SiC buffer layer - Applied Physics Letters - 2002 - 80
14) Initial growth of hexagonal GaN grown on a Si(111)substrate coated with an ultra-thin SiC buffer layer - Journal of Crystal Growth - 2002 - 236
15) Dislocation core structures in GaN grown on Si(111)subtrate - Philosophy Magazine Letters - 2002 - 82
16) Growth of Hexagonal GaN on si(111) Coated with a Thin Flat SiC Buffer Layer - Applied Physics Letters - 2000 - 77
17) Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si(001)Coated with Thin Flat SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy - Applied Physics Letters - 2000 - 76



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1)染料敏化太阳能电池用改性的TiO 2表面化学态:Ti 3+的作用-申请 物理学。快报。- 2011 - 99,192104(2011)。<br>2)薄膜CdTe太阳能电池,在微米和亚微米尺度的吸收层厚度-申请 物理学。快报。- 2011 - 99,143502(2011)。<br>3)在所述的CdS / CdTe的界面相互扩散反应的研究- J.材料研究- 2011 - 26 697(2011)。<br>4)对通过化学浴沉积来制备薄CdS膜的CdCl 2退火处理的-固体薄膜- 2010 - 518,6858(2010)。<br>5)在使用微拉曼散射光谱法的Cu-在-2SE前体层在原位观察相形成的- J.材料研究- 2009 - 24,2373(2009)。<br>6)制备的P型CuInSe2薄膜通过一步电解前体的硒化- J.材料研究- 2009 - 24,2293(2009)。<br>7)晶格振动基本面与拉曼散射研究纳米锐钛矿- J.物理学:Condens。物- 2008 - 20,085212(2008)。<br>8)纳米晶体的anantase晶格振动基本面:使用显微拉曼散射光谱随温度变化的研究- J应用物理。- 2007 - 101,113501(2007)。<br>9)锐钛矿纳米TiO2薄膜的晶格振动基础检测到使用非偏振光红外光谱-化学快报- 2006 - 35,884(2006)。<br>10)由氮化镓上的图案化的硅技术制造的GaN悬浮微结构的机械特性-应用物理快报- 2006 - 88,041913(2006)。<br>杂志Applied.Physics的- - 2005 -通过金属有机化学气相沉积生长在图案化的Si(111)在GaN薄膜的应力分布的11)显微拉曼散射研究97(2005)<br>12)上生长的图案化的Si的GaN的表征(111)基板-晶体生长杂志的- 2004 - 272 <br>13)Si掺杂在Si上生长立方晶体的GaN(包衣001)基板与薄的扁平的SiC缓冲层-应用物理快报- 2002 - 80 <br>上的14)六方晶系GaN的生长初期生长的Si(111)衬底涂覆有超薄的SiC缓冲层-晶体生长杂志的- 2002 - 236<br>15)在GaN中的位错核心结构的生长在Si(111)subtrate - 82 -哲学杂志字母- 2002 <br>与薄的扁平的SiC缓冲层包覆在Si(111六方晶系GaN的16)生长) -应用物理快报- 2000 - 77 <br>17立方GaN构成)异质外延在Si(001)用等离子辅助分子束外延与薄扁平的SiC涂层-应用物理快报- 2000 - 76
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1) 具有改性 TiO2 表面化学状态的染料敏化太阳能电池:Ti3+ 的作用 - 应用物理. Lett.- 2011 - 99, 192104 (2011).<br> 2) 薄膜 CdTe 太阳能电池,在微微米和亚微米尺度上具有吸收层厚度 - 应用物理. Lett.- 2011 - 99, 143502 (2011).<br> 3) CdS/CdTe接口的扩散反应研究 - J. 材料研究 - 2011 - 26, 697 (2011)。<br> 4) CdCl2退火处理对化学浴沉积制备的薄CdS薄膜的影响 - 薄固体薄膜 - 2010 - 518,6858 (2010)。<br> 5) 使用微拉曼散射光谱对Cu-In-2Se前体层相的形成进行原位观测 - J.材料研究 - 2009- 24,2373 (2009)。<br> 6) P型CuInSe2薄膜由一步电沉积前体压化制备 - J.材料研究 - 2009 - 24, 2293 (2009)。<br> 7) 与拉曼散射一起研究的纳米晶体性抗信酶中的莱迪思振动基础 - J. Phys.:冷凝器。物质 - 2008 - 20, 085212 (2008)。<br> 8) 纳米晶体安那斯酶的莱迪思振动基础:使用微拉曼散射光谱进行温度依赖性研究 - J Appl Phys- 2007 - 101, 113501 (2007)。<br> 9) 使用非极化红外光谱检测的 Anatase 纳米晶体 TiO2 薄膜的晶格振动基础 - 化学快报 - 2006 - 35, 884 (2006)。<br> 10) 由 GaN 图案硅技术制造的悬浮GaN微结构的机械表征 - 应用物理快报 - 2006 - 88,041913 (2006)。<br> 11) 金属有机化学气相沉积在图案Si(111)上生长的GaN薄膜应力分布的微拉曼散射研究 - 应用杂志.物理 - 2005-97(2005)<br> 12) 在图案Si(111)基板上生长的GaN特性 - 晶体生长杂志 - 2004 - 272<br> 13) Si-doed 立方 GaN 生长在 Si(001)基板上,涂有薄平的 SiC 缓冲层 - 应用物理快报 - 2002 - 80<br> 14) 六角GaN的初始生长在涂有超薄SiC缓冲层的Si(111)基板上 - 水晶生长杂志 - 2002 - 236<br> 15) 在 Si(111)子级上生长的 GaN 中错位的核心结构 - 哲学杂志信 - 2002 - 82<br> 16) 六角GaN在si(111)上与薄平SiC缓冲层涂层的增长 - 应用物理字母 - 2000 - 77<br> 17) 通过等离子体辅助分子束显散 - 应用物理快报 - 2000 - 76,在Si(001)上涂有薄平SiC的立方GaN的共和隆起生长
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1)具有改性TiO2表面化学状态的染料敏化太阳能电池:Ti3+-Appl的作用。Phys。小精灵。-2011-99192104(2011)。<br>2)具有微米级和亚微米级吸收层厚度的薄膜CdTe太阳能电池。Phys。小精灵。-2011-99143502(2011年)。<br>3)CdS/CdTe界面扩散反应研究-材料研究-2011-26,697(2011)。<br>4)CdCl 2退火处理对化学浴沉积法制备的薄CdS薄膜的影响- 2010~518, 6858(2010)。<br>5)使用显微拉曼散射光谱原位观察cu-in-2se前体层中的相形成-材料研究-2009-242373(2009)。<br>6)一步电沉积前体硒化制备P型CuInSe2薄膜-材料研究-2009-242293(2009)。<br>7)用拉曼散射研究纳米锐钛矿晶格振动的基本原理。事件-2008-2085212(2008)。<br>(8)纳米晶体结构的晶格振动基础:用显微拉曼散射光谱进行温度依赖性研究。-2007-101113501(2007)。<br>9)使用非偏振红外光谱法检测锐钛矿纳米TiO2薄膜的晶格振动基础-化学快报-2006-35884(2006)。<br>10)GaN在图案化硅技术上制备的悬浮GaN微结构的力学表征-应用物理字母- 2006 - 88, 041913(2006)。<br>11)金属有机化学气相沉积si(111)衬底上gan薄膜应力分布的显微拉曼散射研究.应用物理学杂志2005-97(2005)<br>12)在图案化Si(111)衬底上生长的GaN的特性-晶体生长杂志-2004-272<br>13)在Si(001)衬底上生长的Si掺杂立方GaN,镀有薄的扁平SiC缓冲层-应用物理学快报-2002-80<br>14)在涂有超薄SiC缓冲层的Si(111)衬底上生长的六角GaN的初始生长-晶体生长杂志-2002-236<br>15)si(111)亚速率生长gan中的位错核结构-哲学杂志Letters-2002-82<br>16)在Si(111)上生长六角GaN,并镀上一层薄而扁平的SiC缓冲层-应用物理字母-2000-77<br>17)采用等离子体辅助分子束外延技术在Si(001)上外延生长立方氮化硅GaN(001)。<br>
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