Figure 12-3 is a timing diagram describing how noiseor other detriment的简体中文翻译

Figure 12-3 is a timing diagram des

Figure 12-3 is a timing diagram describing how noiseor other detrimental effects will improperly influence thelevel-shifting process. When a noise-induced rapidvoltage drop between the VBx and output pins (U, V, orW1; hereafter “VBx–HSx”) occurs after the Set signalgeneration, the next Reset signal cannot be sent to the SRflip-flop circuit. And the state of an HOx signal stayslogic high (or “H”) because the SR flip-flop does notrespond. With the HOx state being held high (i.e., thehigh-side transistor is in an on-state), the next LINx signalturns on the low-side transistor and causes asimultaneously-on condition, which may result in criticaldamage to the IC. To protect the VBx pin against such anoise effect, add a bootstrap capacitor, CBOOTx, in eachphase. CBOOTx must be placed near the IC and beconnected between the VBx and HSx pins with a minimallength of traces. To use an electrolytic capacitor, add a0.01 μF to 0.1 μF bypass capacitor, CPx, in parallel nearthese pins used for the same phase.
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图12-3是描述噪声<br>或其他有害影响将如何不适当地影响<br>电平转换过程的时序图。在置位信号产生之后,如果在VBx <br>和输出引脚(U,V或<br>W1;以下称为“ VBx–HSx”)之间产生了噪声引起的快速电压降<br>,则下一个复位信号将无法发送至SR <br>触发器电路。<br>由于SR触发器不<br>响应,因此HOx信号的状态保持逻辑高电平(或“ H”)。在HOx状态保持高电平的情况下(即,<br>高端晶体管处于导通状态),下一个LINx信号<br>导通低端晶体管并导致<br>同时导通,这可能会导致临界状态。<br>集成电路损坏。为了保护VBx引脚免受这种<br>噪声影响,请在每<br>相中添加一个自举电容器CBOOTx 。CBOOTx必须放置在IC附近,并以<br>最小<br>的走线长度连接在VBx和HSx引脚之间。要使用电解电容,请<br>在<br>用于同一相的这些引脚附近并联一个0.01 µF至0.1 µF的旁路电容CPx 。
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图 12-3 是描述噪声的时序图<br>或其他有害影响将不适当地影响<br>水平转换过程。当噪声引起的快速<br>VBx 和输出引脚之间的电压降(U、V 或<br>W1;此后,"VBx+HSx")出现在设置信号之后<br>生成,则下一个重置信号无法发送到 SR<br>翻转电路。和HOx信号的状态保持<br>逻辑高(或"H"),因为 SR 触发器不<br>响应。随着 HOx 状态居高不下(即<br>高侧晶体管处于处于上状态),下一个 LINx 信号<br>打开低侧晶体管,并导致<br>同时在条件,这可能会导致严重<br>损坏 IC。保护 VBx 引脚免受此类<br>噪声效应,在每个<br>相。CBOOTx 必须放置在 IC 附近,并且<br>VBx 和 HSx 引脚之间连接,具有最小<br>跟踪的长度。要使用电解电容器,请添加<br>0.01 μF 至 0.1 μF 旁路电容器,CPx,平行靠近<br>这些引脚用于同一相位。
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图12-3是描述噪声的时序图<br>或其他有害影响将不适当地影响<br>水平转换过程。当一个噪音引起快速<br>VBx和输出引脚(U、V或<br>W1;以下简称“VBx–HSx”)发生在设置信号之后<br>生成时,下一个复位信号不能发送到SR<br>触发器电路。HOx信号的状态保持不变<br>逻辑高(或“H”),因为SR触发器没有<br>回答。HOx状态保持高位(即<br>高侧晶体管处于接通状态),下一个LINx信号<br>打开低侧晶体管并导致<br>同时处于状态,这可能导致严重<br>IC损坏。以保护VBx引脚免受<br>噪声效应,在每个电路中添加一个引导电容器,CBOOTx<br>阶段。CBOOTx必须放置在IC附近<br>在VBx和HSx引脚之间连接<br>痕迹长度。要使用电解电容器,添加一个<br>0.01μF至0.1μF旁路电容器,CPx,并联<br>这些引脚用于同一相位。<br>
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