As shown in the band-bending diagra

As shown in the band-bending diagram of Fig. 3, the electrons are confined to the GaAs-AlGaAs interface by a potential well, formed by the repulsive barrier due to the conduction band offset of about 0.3 V between the two semiconductors, and by the attractive electrostatic potential due tothe positively charged ionized donors in the n-doped Al-GaAs layer.

0/5000

源语言: -

目标语言: -

结果 (简体中文) 1: [复制]

复制成功！

作为图3的能带弯曲图中所示，在电子通过的电势限制在GaAs基的AlGaAs界面阱，由排斥屏障形成由于导带的两个半导体之间约0.3V的偏移量，并且通过有吸引力的静电电势由于<br>在n掺杂的Al-GaAs层的带正电荷的离子化供体。

正在翻译中..

结果 (简体中文) 2:[复制]

复制成功！

如图 3 的带弯曲图所示，电子被电位孔限制在 GaAs-AlGaAs 接口中，由于两个半导体之间的传导带偏移约为 0.3 V，并且由有吸引力的静电电位，因为<br>正电荷电离子捐赠者在n掺杂的Al-GaAs层。

正在翻译中..

结果 (简体中文) 3:[复制]

复制成功！

如图3的能带弯曲图所示，电子被一个势阱限制在GaAs-AlGaAs界面上，该势阱由两个半导体之间约0.3v的导带偏移所形成的排斥势垒和由<br>n掺杂Al-GaAs层中的正电荷电离施主。

正在翻译中..

其它语言

本翻译工具支持: 世界语, 丹麦语, 乌克兰语, 乌兹别克语, 乌尔都语, 亚美尼亚语, 伊博语, 俄语, 保加利亚语, 信德语, 修纳语, 僧伽罗语, 克林贡语, 克罗地亚语, 冰岛语, 加利西亚语, 加泰罗尼亚语, 匈牙利语, 南非祖鲁语, 南非科萨语, 卡纳达语, 卢旺达语, 卢森堡语, 印地语, 印尼巽他语, 印尼爪哇语, 印尼语, 古吉拉特语, 吉尔吉斯语, 哈萨克语, 土库曼语, 土耳其语, 塔吉克语, 塞尔维亚语, 塞索托语, 夏威夷语, 奥利亚语, 威尔士语, 孟加拉语, 宿务语, 尼泊尔语, 巴斯克语, 布尔语(南非荷兰语), 希伯来语, 希腊语, 库尔德语, 弗里西语, 德语, 意大利语, 意第绪语, 拉丁语, 拉脱维亚语, 挪威语, 捷克语, 斯洛伐克语, 斯洛文尼亚语, 斯瓦希里语, 旁遮普语, 日语, 普什图语, 格鲁吉亚语, 毛利语, 法语, 波兰语, 波斯尼亚语, 波斯语, 泰卢固语, 泰米尔语, 泰语, 海地克里奥尔语, 爱尔兰语, 爱沙尼亚语, 瑞典语, 白俄罗斯语, 科西嘉语, 立陶宛语, 简体中文, 索马里语, 繁体中文, 约鲁巴语, 维吾尔语, 缅甸语, 罗马尼亚语, 老挝语, 自动识别, 芬兰语, 苏格兰盖尔语, 苗语, 英语, 荷兰语, 菲律宾语, 萨摩亚语, 葡萄牙语, 蒙古语, 西班牙语, 豪萨语, 越南语, 阿塞拜疆语, 阿姆哈拉语, 阿尔巴尼亚语, 阿拉伯语, 鞑靼语, 韩语, 马其顿语, 马尔加什语, 马拉地语, 马拉雅拉姆语, 马来语, 马耳他语, 高棉语, 齐切瓦语, 等语言的翻译.