Because of the cusp in u, the chemi

Because of the cusp in u, the chemical potential du/dns has a discontinuity _μ = ¯hωc at integer ν. At these values of the filling factor an infinitesimal increase in electron density costs a finite amount of energy, so the electron gas can be said to be incompressible. The cusp in u at fractional ν exists because of the Coulomb interaction. The discontinuity _μ is now approximately _μ ≈ e2/ǫlm ∝ √B, which at a typical field of 6T in GaAs is 10meV, of the same magnitude as the Landau level separation ¯hωc ∝ B.

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因为U中的尖的，化学势DU / DNS具有不连续性_μ=¯hωc在整数ν。在填充因子的这些值中的电子密度的无穷小增加成本的能量的量有限，因此，电子气可以说是不可压缩的。在分数νU中的风口浪尖上的存在是因为库仑相互作用的。的不连续性_μ现在大约_μ≈E2 /ǫlmαwhisky，，其在6T的GaAs中的典型字段是10meV，相同的幅度作为朗道能级分离¯hωcαB的

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由于 u 中的尖点，化学电位 du/dns 在整数 = 时具有不连续 [ ] = h_c。在填充因子的这些值下，电子密度的无限增加会花费有限的能量，因此电子气体可以说无法压缩。由于库仑相互作用，u 在分数点__的尖峰存在。不连续性现在约为 ±= e2/_lm = B，在 GaAs 中 6T 的典型场位为 10meV，其大小与 Landau 水平分离 [ h_c] B 相同。

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由于u的尖点，化学势du/dns在整数v处有一个不连续的μ∏hωc。在这些填充因子的值下，电子密度的无穷小的增加会消耗有限的能量，因此可以说电子气体是不可压缩的。由于库仑相互作用，U在分数维上存在尖点。在GaAs 6T的典型场中，不连续性μμ约为μe2/yLm，b为10MeV，其大小与朗道能级分离HωC b相同。

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