FIG.35 Transconductance gm ≡ ∂I/∂VS

FIG.35 Transconductance gm ≡ ∂I/∂VSD of the device of FIG.34 measured as a function of gate voltage for various values of the source-drain voltage. The oscillations, seen in particular at low source-drain voltages, are attributed to Bragg reflection in a periodic potential. Taken from K. Ismail et al., Appl. Phys. Lett. 52, 1071 (1988).

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图35跨导gm≡∂I/作为用于源极 - 漏极电压的各种值栅极电压的函数测得的的图34装置的∂VSD。振荡，在低源极 - 漏极电压中特别看到的，归因于布拉格反射在周期性电势。从K. Ismail等人，申请服用。物理学。快报。52，1071（1988）。

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图35 电传电量为图 34 器件的跨导电量-i/VSD，测量为源漏压的各种值的栅极电压函数。振荡，特别是在低源漏压下，归因于布拉格在周期性电位中的反射。取自K.伊斯梅尔等人，菲斯·莱特。52, 1071 (1988).

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图35图34器件的跨导gm∂∂I/∂VSD随栅极电压的变化而测量。振荡，特别是在低源极漏极电压下，归因于周期电位中的布拉格反射。摘自K.Ismail等人，Appl。菲斯。利特。521071（1988）。

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