气相刻蚀可以使硅片表面反射率降低至8%，并且在25平方厘米范围内太阳电

气相刻蚀可以使硅片表面反射率降低至8%，并且在25平方厘米范围内太阳电池的反射率为10%

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Vapor-phase etching can reduce the reflectivity of the silicon wafer surface to 8%, and the reflectivity of the solar cell is 10% within 25 square centimeters

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Gas phase etching reduces the surface reflectivity of silicon wafers to 8% and the solar cell's reflectivity of 10% in the 25 square centimeter range

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The surface reflectivity of silicon wafer can be reduced to 8% by vapor etching, and the reflectivity of solar cell is 10% in the range of 25 square centimeter

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