结合磁流变抛光过程中的实验数据，为了研究划擦深度对划痕形成的影响，选择

结合磁流变抛光过程中的实验数据，为了研究划擦深度对划痕形成的影响，选择模拟的划擦深度为1.5，2.0，2.5nm。

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Combined with the experimental data in the process of magnetorheological polishing, in order to study the effect of scratch depth on the formation of scratches, the simulated scratch depth was selected as 1.5, 2.0, 2.5 nm.

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Combined with experimental data from the magnetic rheo-polishing process, in order to study the effect of scratch depth on scratch formation, the simulated scratch depth was selected at 1.5, 2.0, 2.5nm.

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In order to study the influence of scratch depth on scratch formation, the simulated scratch depth was selected as 1.5, 2.0, 2.5nm, based on the experimental data of MRF polishing.<br>

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