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The first LED was built by Soviet i
The first LED was built by Soviet inventor Oleg Losev in 1927. In 1955, Rubin
Braunstein of the Radio Corporation of America reported on infrared emission from gallium arsenide (GaAs) and other semiconductor alloys. The first visible-spectrum (red) LED was developed in 1962 by Nick Holonyak, Jr. while working at General Electric. Blue LEDs were first developed in 1972 using gallium nitride (GaN) on a sapphire substrate. The first high-brightness blue LED was demonstrated by Shuji Nakamura of Nichia Corporation in 1994 and was based on InGaN. In parallel, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano in Nagoya were working on developing the important GaN nucleation on sapphire substrates and the demonstration of p-type doping of GaN. Nakamura, Akasaki, and Amano were awarded the 2014 Nobel Prize in physics for their work.
Braunstein of the Radio Corporation of America reported on infrared emission from gallium arsenide (GaAs) and other semiconductor alloys. The first visible-spectrum (red) LED was developed in 1962 by Nick Holonyak, Jr. while working at General Electric. Blue LEDs were first developed in 1972 using gallium nitride (GaN) on a sapphire substrate. The first high-brightness blue LED was demonstrated by Shuji Nakamura of Nichia Corporation in 1994 and was based on InGaN. In parallel, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano in Nagoya were working on developing the important GaN nucleation on sapphire substrates and the demonstration of p-type doping of GaN. Nakamura, Akasaki, and Amano were awarded the 2014 Nobel Prize in physics for their work.
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第一LED被苏联发明者奥列格洛谢夫于1927年建1955年，鲁宾<br>的美国无线电公司的布朗斯坦报告了从砷化镓（GaAs）等半导体合金的红外发射。第一个可见光谱（红色）LED是由尼克·何伦亚克，小在1962年开发的在通用电气工作时。蓝色LED在1972年在蓝宝石基板上采用氮化镓（GaN）首先开发。第一高亮度蓝色LED被Nichia公司的中村修二在1994年证明和基于氮化铟镓。平行地，赤崎勇和天野浩名古屋被致力于开发在蓝宝石衬底上的GaN重要的成核和GaN的p型掺杂的示范。中村，赤崎和天野被授予2014年诺贝尔物理学奖为他们的工作。
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第一个LED由苏联发明家奥列格·洛舍夫于1927年制造。1955年，鲁宾<br>美国无线电公司的布劳恩斯坦报道了砷化砷（GaAs）和其他半导体合金的红外辐射。第一个可见光谱（红色）LED由小尼克·霍洛尼亚克在通用电气公司工作，于1962年开发。蓝色 LED 于 1972 年首次在蓝宝石基板上使用氮化氢 （GaN） 进行开发。1994年，日田株式会社的中村树治（Shuji Nakamura）以InGaN为基础，展示了首款高亮度蓝色LED。与此同时，名古屋的伊沙木·赤崎和天野弘正致力于开发蓝宝石基板上的重要GaN核，并示范GaN的p型掺杂。中村、赤崎和天野之弥因其作品荣获2014年诺贝尔物理学奖。
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第一个LED是由苏联发明家奥列格·洛塞夫于1927年建造的。1955年，鲁宾<br>美国无线电公司的布朗斯坦报道了砷化镓（gaas）和其他半导体合金的红外发射。第一个可见光谱（红色）LED是1962年由尼克·霍洛尼亚克（Nick Holonyak）在通用电气（General Electric）工作时开发的。蓝色led最早是在1972年在蓝宝石衬底上使用氮化镓（gan）开发的。1994年尼西亚公司的中村舒吉（shuji nakamura）展示了第一个高亮度的蓝色led，该led基于ingan。同时，日本名古屋的板垣和天野之弥正在蓝宝石衬底上开发重要的gan成核技术，并演示gan的p型掺杂。中村、赤坂和天野之弥因其工作获得2014年诺贝尔物理学奖。<br>
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