Reverse Input Protection Gate Drive

Reverse Input Protection Gate Drive Output. When VIN is pulled below –1.2V, this pin is clamped internally to VIN with a low resistance switch forcing an external MOSFET between the VIN and VINP pins into cutoff. In normal operation, this pin is charged to roughly VIN + GATEVCC with an internal charge pump to fully enhance the external MOSFET. DG can tolerate negative voltages down to –40V.

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反向输入保护栅极驱动输出。 当VIN拉至–1.2V以下时，此引脚 通过低电阻开关在内部钳位至VIN，从而迫使 VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET截止。在正常工作中，该引脚 通过内部电荷泵充电至大约VIN + GATEVCC，以充分 增强外部MOSFET的能力。DG可以承受 低至–40V的负电压。

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反向输入保护门驱动输出。 当VIN被拉到-1.2V以下时，此引脚被夹紧 内部到VIN与低阻力开关迫使 VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET进入截止。在正常操作中，此引脚大致充电 VIN+盖特夫CC与内部充电泵完全 增强外部货币经济。DG可以容忍负 电压降至-40V。

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反向输入保护门驱动输出。 当车辆识别号（VIN）拉至低于–1.2V时，此针脚被夹紧 通过低电阻开关强制 VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET被切断。在正常操作中，该引脚充电至 VIN+GATEVCC，带内部电荷泵，可完全 增强外部MOSFET。DG可耐受阴性 电压降至–40V。

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