Reverse Input Protection Gate Drive Output. When VIN is pulled below –的简体中文翻译

Reverse Input Protection Gate Drive

Reverse Input Protection Gate Drive Output. When VIN is pulled below –1.2V, this pin is clamped internally to VIN with a low resistance switch forcing an external MOSFET between the VIN and VINP pins into cutoff. In normal operation, this pin is charged to roughly VIN + GATEVCC with an internal charge pump to fully enhance the external MOSFET. DG can tolerate negative voltages down to –40V.
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反向输入保护栅极驱动输出。<br>当VIN拉至–1.2V以下时,此引脚<br>通过低电阻开关在内部钳位至VIN,从而迫使<br>VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET截止。在正常工作中,该引脚<br>通过内部电荷泵充电至大约VIN + GATEVCC,以充分<br>增强外部MOSFET的能力。DG可以承受<br>低至–40V的负电压。
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反向输入保护门驱动输出。<br>当VIN被拉到-1.2V以下时,此引脚被夹紧<br>内部到VIN与低阻力开关迫使<br>VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET进入截止。在正常操作中,此引脚大致充电<br>VIN+盖特夫CC与内部充电泵完全<br>增强外部货币经济。DG可以容忍负<br>电压降至-40V。
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反向输入保护门驱动输出。<br>当车辆识别号(VIN)拉至低于–1.2V时,此针脚被夹紧<br>通过低电阻开关强制<br>VIN和VINP引脚之间的外部MOSFET被切断。在正常操作中,该引脚充电至<br>VIN+GATEVCC,带内部电荷泵,可完全<br>增强外部MOSFET。DG可耐受阴性<br>电压降至–40V。<br>
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